編號(hào)：NMJS05075
篇名：碳化硅/二氧化硅核殼結(jié)構(gòu)納米線的制備及場(chǎng)發(fā)射特性研究
作者：劉霞； 曹連振； 蔣紅； 宋航；
關(guān)鍵詞：碳化硅； 二氧化硅； 核殼結(jié)構(gòu)； 場(chǎng)發(fā)射特性；
機(jī)構(gòu)： 山東省多光子糾纏與操縱重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,濰坊學(xué)院物理與光電工程學(xué)院； 中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所；
摘要： 以甲烷和二氧化硅納米球?yàn)樵?鐵作催化劑,成功制備了長徑比達(dá)200的碳化硅/二氧化硅核殼結(jié)構(gòu)一維納米線,分析了納米線的合成機(jī)制,并研究了納米線的場(chǎng)發(fā)射特性。研究結(jié)果表明,當(dāng)施加的電場(chǎng)為5.5V/μm時(shí),納米線的場(chǎng)發(fā)射電流密度可達(dá)0.41mA/cm2,顯示出良好的場(chǎng)發(fā)射特性。通過分析實(shí)驗(yàn)結(jié)果,認(rèn)為納米線具有良好場(chǎng)發(fā)射特性的原因有2個(gè):一個(gè)是核殼結(jié)構(gòu)納米線的長徑比比較大;另一個(gè)是核殼結(jié)構(gòu)納米線表面包覆的低電子親和勢(shì)的二氧化硅薄層抑制了表面缺陷發(fā)射。
