編號：NMJS05055
篇名：正方形納米線及納米孔陣列輻射特性研究
作者：方興； 鮑華； 趙長穎；
關(guān)鍵詞：納米線； 納米孔； 光伏應(yīng)用；
機構(gòu)： 上海交通大學(xué)機械與動力工程學(xué)院； 上海交通大學(xué)密西根學(xué)院；
摘要： 晶體硅納米線及納米孔陣列結(jié)構(gòu)不僅有著優(yōu)異的增吸收特性,而且與傳統(tǒng)的硅膜電池相比能大幅降低原料成本,因而在光伏市場中有著巨大發(fā)展前景。本文采用嚴格耦合波分析(RCWA)研究了晶體硅正方形納米線和納米孔陣列結(jié)構(gòu)的輻射特性,證明了兩種結(jié)構(gòu)的應(yīng)用潛力。在AM1.5太陽能光譜輻射強度下,納米線和納米孔陣列結(jié)構(gòu)最終效率都大于24%,高出同等厚度晶體硅薄膜70%P以上。兩種納米結(jié)構(gòu)在周期600 nm附近達到最高,其中納米線陣列結(jié)構(gòu)有著更低的最優(yōu)填充率。不同角度混合極化入射下,兩種結(jié)構(gòu)的最終效率能夠維持在大的角度范圍內(nèi)(0~60°),表現(xiàn)了良好的角度特性。
