編號(hào)：NMJS04986
篇名：氣相傳輸法制備大尺寸單晶Bi2Se3納米片、納米帶
作者：李小帥1； 王增梅1； 2； 朱鳴芳3； 王善朋2； 陶緒堂2； 陸駿1； 陳興濤1； 徐佳樂(lè)1；
關(guān)鍵詞：氣相傳輸法； Bi2Se3納米片； Bi2Se3納米帶；
機(jī)構(gòu)： (1. 東南大學(xué) 江蘇省土木工程材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,南京211189； 2. 山東大學(xué) 晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,濟(jì)南250100； 3. 東南大學(xué) 江蘇省先進(jìn)金屬材料高技術(shù)研究重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,南京211189
摘要： 低維Bi2Se3納米材料是最新研究發(fā)現(xiàn)的一種新型三維拓?fù)浣^緣體材料,在微電子器件和傳感器領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。本研究采用氣相傳輸法在真空石英管中合成了大尺寸單晶Bi2Se3納米片、納米帶。通過(guò)XRD、EDS、Raman、SEM等手段對(duì)Bi2Se3納米片、納米帶的物相結(jié)構(gòu)、組成、表面形貌等進(jìn)行表征。測(cè)試結(jié)果表明:氣相傳輸法合成的單晶 Bi2Se3 納米片、納米帶相純度高,結(jié)晶性能好,均是{001}取向;Bi2Se3 納米片水平尺寸大,約為15~180μm; Bi2Se3納米帶長(zhǎng)度達(dá)860μm, 寬度約5μm。根據(jù)不同溫度下制備的Bi2Se3納米片、納米帶SEM照片及其不同方向結(jié)合能的差異,分析了其可能的生長(zhǎng)機(jī)制:在較高溫度下沿<001>和<1010>方向生長(zhǎng)速度快,生成大尺寸單晶Bi2Se3納米片;在較低溫度下,沿<1120>方向生長(zhǎng)速度快,生成大尺寸單晶Bi2Se3納米帶。這些研究結(jié)果完善了大尺寸Bi2Se3納米材料的制備工藝,有望在微電子器件領(lǐng)域得到商業(yè)化應(yīng)用。
