編號：CPJS02446
篇名：聚酰亞胺/二氧化鈦納米復合薄膜制備與耐電暈性
作者：孔宇楠； 殷景華； 鐵雯鷺； 劉曉旭； 宋明歆； 雷清泉；
關鍵詞：聚酰亞胺； TiO2； 復合薄膜； 制備； 耐電暈；
機構： 哈爾濱理工大學應用科學學院； 哈爾濱理工大學工程電介質及其應用教育部重點實驗室；
摘要： 采用原位聚合法制備不同TiO2組分聚酰亞胺(PI)/納米TiO2復合薄膜,薄膜厚度50μm。測試結果表明,TiO2呈球狀顆粒,直徑約為100 nm,聚酰亞胺呈片狀,尺寸約為2μm×1μm。隨著TiO2含量的增加,復合薄膜介電常數(shù)和介電損耗增大,擊穿場強先增加后降低;在40 kV/mm電場強度下,復合薄膜耐電暈老化壽命增加,純PI薄膜壽命為3 h,20wt%TiO2含量薄膜壽命達到25 h;TiO2顆粒耐電暈能力強,與聚合物形成界面相,改變材料陷阱能級,有利于空間電荷的擴散和熱量的傳輸,在薄膜表面形成放電阻擋層,降低局部放電對薄膜內(nèi)部的侵蝕,顯著提高薄膜耐電暈老化壽命。
