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        合成碳化硅的熱力學(xué)分析及碳化硅晶須生長(zhǎng)的表征

        編號(hào):CPJS02262

        篇名:合成碳化硅的熱力學(xué)分析及碳化硅晶須生長(zhǎng)的表征

        作者:李心慰; 曲殿利; 李志堅(jiān); 吳鋒; 徐娜;

        關(guān)鍵詞:碳化硅晶須; 熱力學(xué); 合成條件; 催化劑;

        機(jī)構(gòu): 遼寧科技大學(xué)高溫材料與鎂資源工程學(xué)院;

        摘要: 以硅溶膠和炭黑為原料,三氧化二鐵、硅鐵合金為催化劑,研究分析碳化硅晶須的合成條件,催化劑種類對(duì)合成碳化硅晶須的影響。用X’pert plus軟件對(duì)X射線衍射圖進(jìn)行擬合,通過(guò)半定量法對(duì)試樣晶相組成進(jìn)行計(jì)算,用SEM對(duì)合成的碳化硅晶須進(jìn)行微觀形貌分析。結(jié)果表明:合成β-SiC w的熱力學(xué)條件為:T=1823 K時(shí),P CO>0.23×105Pa;晶須生成量隨Fe2O3、Si-Fe加入量增加而增多;Si-Fe加入量為1%時(shí),雖然合成的晶須量少,但生成的β-SiC w直徑均勻,為0.1~0.6μm,長(zhǎng)度適中,為10~50μm,直晶率達(dá)95%。

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