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        模板電沉積制備一維鈷納米材料的生長機制

        編號:FTJS04463

        篇名:模板電沉積制備一維鈷納米材料的生長機制

        作者:李成; 陳銘明; 金學軍;

        關鍵詞:模板電沉積; 納米材料; 生長機制;

        機構: 上海交通大學材料科學與工程學院;

        摘要: 研究通過控制直流沉積,在陽極氧化鋁(AAO)模板中獲得高填充率的鈷納米線、納米管混合物,其平均直徑50 nm。并對這種混合物的形成機制做出了初步探討。

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