編號(hào)：NMJS04930
篇名：一鍋法制備溫敏改性納米二氧化硅
作者：武江紅； 杜志平； 臺(tái)秀梅； 劉曉英；
關(guān)鍵詞：一鍋法； 納米二氧化硅； 溫敏改性； 功能材料；
機(jī)構(gòu)： 中國(guó)日用化學(xué)工業(yè)研究院 山西省納米技術(shù)應(yīng)用研究中心；
摘要： 通過(guò)一鍋法,制備得到溫敏改性的SiO2�？疾炝朔磻�(yīng)溫度、單體用量、反應(yīng)時(shí)間、引發(fā)劑用量等因素對(duì)接觸角的影響。利用傅里葉變換紅外光譜儀(FTIR)和透射電子顯微鏡(TEM)對(duì)產(chǎn)物進(jìn)行了表征。溫敏改性納米SiO2的最佳工藝條件為:反應(yīng)溫度73℃,反應(yīng)時(shí)間6 h,單體與KH-570摩爾比為1∶1,引發(fā)劑用量為單體與KH-570總質(zhì)量的2.5%。
