編號：FTJS04383
篇名：二氧化硅干法刻蝕傾角控制的工藝研究
作者：張昭； 楊兵； 陸敏； 田亮； 楊霏
關(guān)鍵詞：二氧化硅； 干法刻蝕； 刻蝕傾角
機構(gòu)： 國網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院電工新材料及微電子研究所； 北方工業(yè)大學(xué)
摘要： 采用反應(yīng)離子體刻蝕機結(jié)合CHF3+SF6+O2混合氣體[1,2]刻蝕二氧化硅的工藝研究,并且采用正交試驗方法[3]調(diào)整刻蝕參數(shù),得出影響刻蝕傾角的主要因素是CHF3和SF6。適當(dāng)增加CHF3流量有助于形成陡直的刻蝕傾角;適當(dāng)增加SF6流量并減小CHF3流量有助于形成平緩的刻蝕傾角。通過對實驗參數(shù)進行整體優(yōu)化處理,最終實現(xiàn)了垂直、平緩的刻蝕傾角。為采用二氧化硅作為刻蝕掩膜以及終端結(jié)構(gòu)提供了幫助。
