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        襯底對CVD生長石墨烯的影響研究

        編號:FTJS04173

        篇名:襯底對CVD生長石墨烯的影響研究

        作者:張瑋; 滿衛(wèi)東; 涂昕; 林曉棋;

        關(guān)鍵詞:石墨烯; 化學(xué)氣相沉積; 襯底; 生長機(jī)理;

        機(jī)構(gòu): 武漢工程大學(xué) 湖北省等離子體化學(xué)與新材料重點(diǎn)實驗室;

        摘要: 石墨烯有獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的性能,在電子、信息、能源、材料和生物醫(yī)藥等領(lǐng)域都有著廣闊的應(yīng)用前景。為了更好的應(yīng)用這種新型材料,如何大規(guī)?煽睾铣筛哔|(zhì)量石墨烯是一個必須克服的困難。相比與機(jī)械剝離法、化學(xué)氧化還原法和碳化硅表面外延生長法,化學(xué)氣相沉積法(CVD)因其可以生長大面積高質(zhì)量連續(xù)石墨烯膜而倍受關(guān)注;谑┑纳L機(jī)理,從襯底材料的角度,綜述了近幾年襯底對CVD生長石墨烯的影響的研究進(jìn)展。展望了襯底選擇的發(fā)展新趨勢。

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