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        應變對石墨型B3N4幾何與電子結構的影響

        編號:FTJS04155

        篇名:應變對石墨型B3N4幾何與電子結構的影響

        作者:高本領;

        關鍵詞:密度泛函理論; 石墨型B3N4; 穩(wěn)定性; 導體;

        機構: 淮陰工學院數理學院; 南京大學物理學院;

        摘要: 通過密度泛函理論研究了非磁狀態(tài)下應變對石墨型B3N4(g-B3N4)幾何與電子結構的影響:結果發(fā)現(xiàn)g-B3N4結構具有較高的穩(wěn)定性,是性能良好的導體,導電電荷主要是N中P電子貢獻;隨著材料由壓縮到拉伸,材料的導電能力變弱,暗示了又一無金屬元素導體材料gB3N4的可靠存在。

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