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        納米時(shí)柵位移傳感器電場(chǎng)分布與誤差特性研究

        編號(hào):NMJS04785

        篇名:納米時(shí)柵位移傳感器電場(chǎng)分布與誤差特性研究

        作者:劉小康; 蒲紅吉; 鄭方燕; 馮濟(jì)琴; 于治成

        關(guān)鍵詞:納米測(cè)量; 電容式位移傳感器; 時(shí)柵; 電場(chǎng)分布; 誤差特性

        機(jī)構(gòu): 重慶理工大學(xué) 機(jī)械檢測(cè)技術(shù)與裝備教育部工程研究中心 時(shí)柵傳感及先進(jìn)檢測(cè)技術(shù)重慶市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

        摘要: 針對(duì)現(xiàn)有納米測(cè)量技術(shù)量程小和測(cè)量環(huán)境要求苛刻等不足,提出研究一種以高頻時(shí)鐘脈沖作為計(jì)量基準(zhǔn)的新型納米位移傳感器,利用差動(dòng)平行電容極板構(gòu)建的交變電場(chǎng)進(jìn)行精密測(cè)量。為了優(yōu)化傳感參數(shù)并提高測(cè)量精度,對(duì)納米時(shí)柵傳感器在不同參數(shù)條件下的電場(chǎng)分布與誤差特性進(jìn)行了研究。首先根據(jù)其測(cè)量特征,利用ANSYS軟件建立二維仿真模型,對(duì)不同參數(shù)條件下傳感器的電場(chǎng)分布進(jìn)行分析;再通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,找出不同參數(shù)與誤差特性之間的關(guān)系;最后根據(jù)仿真和實(shí)驗(yàn)結(jié)果,對(duì)傳感參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。實(shí)驗(yàn)表明:在200 mm測(cè)量范圍內(nèi),傳感器精度達(dá)到±300 nm。為納米時(shí)柵優(yōu)化設(shè)計(jì)和精度提高提供了可靠的理論依據(jù)和技術(shù)支持。

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