編號(hào)：NMJS04733
篇名：SnS殼層厚度對(duì)ZnO/SnS核殼結(jié)構(gòu)納米棒光致發(fā)光性能的影響
作者：何朝輝； 孟秀清
關(guān)鍵詞：ZnO/SnS； 核殼結(jié)構(gòu)納米棒； 光致發(fā)光； Ⅱ型能帶排列
機(jī)構(gòu)： 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
摘要： 通過(guò)簡(jiǎn)單的水熱法制備了ZnO納米棒,然后成功地在ZnO納米棒上修飾了一層SnS殼層,形成了ZnO/SnS核殼結(jié)構(gòu)納米棒。利用X射線衍射、掃描電子顯微鏡和透射電子顯微鏡對(duì)上述核殼結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征。結(jié)果表明制備的ZnO納米棒直徑在20~200nm,長(zhǎng)度達(dá)1μm,隨著SnS殼層修飾時(shí)間的增加殼層厚度逐漸增加。PL分析表明,當(dāng)SnS殼層厚度很薄時(shí),由于ZnO納米棒表面態(tài)得到了修復(fù),ZnO納米棒的PL強(qiáng)度得到了很好的提升;但當(dāng)SnS殼層厚度達(dá)到一定程度后,該核殼結(jié)構(gòu)會(huì)形成一種Ⅱ型能帶排列,這樣該核殼結(jié)構(gòu)的PL強(qiáng)度反而會(huì)被降低。
