編號(hào)：FTJS04020
篇名：MgB_2超導(dǎo)材料摻雜研究進(jìn)展
作者：付堯； 張松； 吳燕平； 鄧朝勇；
關(guān)鍵詞：MgB2； 臨界電流密度； 上臨界場(chǎng)； SiC摻雜； 有機(jī)物摻雜；
機(jī)構(gòu)： 貴州大學(xué)理學(xué)院貴州省電子功能復(fù)合材料特色重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；
摘要： 元素?fù)诫s可以提升MgB2在磁場(chǎng)中的性能,解決其超導(dǎo)性能在磁場(chǎng)環(huán)境下的退化問(wèn)題,對(duì)MgB2超導(dǎo)材料的應(yīng)用具有重大意義。介紹了元素?fù)诫sMgB2的目的及作用機(jī)理,從薄膜、塊材、線帶材3個(gè)方面具體綜述了納米SiC和有機(jī)物摻雜MgB2超導(dǎo)體的研究進(jìn)展,系統(tǒng)總結(jié)了燒結(jié)溫度及有機(jī)物摻雜量對(duì)MgB2超導(dǎo)體的性能影響,深入分析了有機(jī)物摻雜改善MgB2超導(dǎo)性能的微觀原因。
