編號：NMJS04659
篇名：納米金剛石摻混對碳納米管薄膜場發(fā)射性能的影響
作者：潘金艷； 高云龍
關(guān)鍵詞：場發(fā)射； 均勻性； 穩(wěn)定性； 絲網(wǎng)印刷
機構(gòu)： 集美大學(xué)信息工程學(xué)院； 廈門大學(xué)自動化系
摘要： 為了提高碳納米管(CNT)陰極膜的場發(fā)射均勻性和穩(wěn)定性,同時改善CNT膜的制作過程,本文提出一種摻混納米金剛石(D)制作高性能絲網(wǎng)印刷CNT膜的方法.通過摻混碳相納米金剛石,形成結(jié)構(gòu)匹配的CNT/D復(fù)合膜,CNT膜內(nèi)的間隙勢壘減少,發(fā)射體分散更均勻,膜層與基底接觸面積增加;同時,結(jié)合納米金剛石的負電親和勢和場發(fā)射特性,可有效提高CNT陰極膜的導(dǎo)電性,增大有效發(fā)射體的密度.場發(fā)射特性測試表明CNT/D復(fù)合膜能得到1.89 V/μm的低開啟電場,在2.8 V/μm場強下,場發(fā)射電流密度遠高于普通CNT膜,達到463μA/cm~2,與普通CNT陰極膜相比,CNT/D復(fù)合膜的場發(fā)射穩(wěn)定性顯著提高,在400℃熱處理后CNT/D膜激發(fā)陽極發(fā)光更均勻.
