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        堇青石載體上TS-1晶體的生長控制與機理

        編號:FTJS04009

        篇名:堇青石載體上TS-1晶體的生長控制與機理

        作者:祝尊路; 楊立斌; 沙作良;

        關鍵詞:鈦硅分子篩–1; 水熱合成; 堇青石載體; 晶體生長; 納米晶體;

        機構(gòu): 天津市海洋資源與化學重點實驗室,天津科技大學海洋科學與工程學院;

        摘要: 以四丙基氫氧化銨(TPAOH)為模板劑,正硅酸乙酯(TEOS)為硅源,鈦酸四丁酯(TBOT)為鈦源,采用水熱合成結(jié)晶法在堇青石載體上結(jié)晶生長TS-1晶體.實驗考察了在175,℃、結(jié)晶時間3,d的條件下,不同水與硅源比例(硅源質(zhì)量分數(shù))、模板劑質(zhì)量分數(shù)對TS-1晶體在堇青石載體上生長及其粒徑的影響;同時通過SEM、ATR-FTIR、XRD表征手段分析TS-1晶體顆粒在堇青石載體上生長機理.結(jié)果表明,TS-1合成前驅(qū)液中硅源和模板劑質(zhì)量分數(shù)直接影響TS-1晶體在堇青石載體上結(jié)晶過程中的骨架膠團濃度和過飽和度,通過控制過飽和度可以調(diào)控堇青石載體上TS-1納米晶體顆粒的大小.

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