編號：NMJS04547
篇名：AFM制備納米氧化點的研究
作者：王加科； 董正超； 程顯東
關鍵詞：AFM； 氧化點； 納米工藝； 偏置電壓； 環(huán)境濕度；
機構： 長春理工大學光電工程學院； 吉林省高等教育自學考試委員會辦公室；
摘要： 結合壓力傳感器氧化絕緣納米結構的制作,研究了基于AFM的納米陽極氧化加工過程中偏置電壓與環(huán)境溫度、濕度等對氧化點尺寸的影響。實驗結果表明,氧化點的尺寸隨偏置電壓和環(huán)境濕度的增大而增大,但過高的偏置電壓和環(huán)境溫度將會造成氧化點表面產(chǎn)生臺階現(xiàn)象;環(huán)境溫度22℃,偏置電壓8V,環(huán)境濕度50%,氧化時間8s,對于n型Si(100)的氧化加工而言是相對合適的加工參數(shù)。
