編號：NMJS04430
篇名：基于直流磁控濺射晶種層的ZnO納米陣列的制備及性能研究
作者：王璟； 丁雨田； 張楊； 陳小焱； 張增明； 尚興記；
關鍵詞：直流磁控濺射； 晶種層薄膜； 納米陣列； ZnO；
機構： 蘭州理工大學甘肅省有色金屬新材料省部共建國家重點實驗室；
摘要： 采用直流反應磁控濺射法制備晶種層薄膜,研究O2/Ar氣體分壓比和退火溫度對晶種層結構和微觀形貌的影響。通過化學水浴沉積,在預制有晶種層的薄膜上制備ZnO納米陣列結構,研究不同前驅體濃度和預制晶種層對納米陣列生長的影響。結果表明,當O2/Ar中O2分壓減少,薄膜均勻性較差,當Ar分壓增加薄膜由于擴散而趨于平整。退火溫度增加,晶粒尺寸增大,內應力降低。磁控濺射法預制的晶種層上生長的納米棒垂直于襯底生長,(002)晶面的衍射峰強最高,說明納米棒沿c軸擇優(yōu)取向。生長液的濃度對納米棒的形貌影響顯著,隨著生長液濃度的升高,ZnO納米陣列直徑增大,頂端趨于平整的六棱柱結構。
