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        玻璃基底/Ag納米薄膜/聚苯胺電致變色薄膜的制備

        編號(hào):NMJS04412

        篇名:玻璃基底/Ag納米薄膜/聚苯胺電致變色薄膜的制備

        作者:紀(jì)禹行; 秦川麗; 鄭冰; 白續(xù)鐸

        關(guān)鍵詞:垂直靶向脈沖激光沉積(VTPLD); Ag納米薄膜; 聚苯胺(PANI)薄膜; 電致變色

        機(jī)構(gòu): 黑龍江大學(xué)化學(xué)化工與材料學(xué)院,高效轉(zhuǎn)化的化工過程與技術(shù)黑龍江省普通高等學(xué)校重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

        摘要: 采用垂直靶向脈沖激光沉積(VTPLD)法,在室溫及Ar氣環(huán)境下于玻璃基底上沉積Ag納米薄膜。在Ag納米薄膜上用提拉法獲得一層聚苯胺(PANI)電致變色薄膜。采用X射線衍射(XRD)、掃描電鏡(SEM)和數(shù)字萬用表考察激光功率對(duì)沉積的Ag納米薄膜的晶型結(jié)構(gòu)、表面形貌和電導(dǎo)率的影響。采用循環(huán)伏安法、紫外可見漫反射光譜法對(duì)不同激光功率下沉積的Ag納米薄膜上PANI薄膜的電致變色性能、結(jié)構(gòu)變化進(jìn)行分析。XRD和SEM結(jié)果顯示,在玻璃基底上成功地獲得粒徑為30~50nm的Ag納米薄膜且其電阻值為1~5Ω。在實(shí)驗(yàn)的最優(yōu)條件下,激光功率為17W時(shí)獲得的Ag納米薄膜致密均勻、結(jié)晶好和電阻值較小;在優(yōu)化的玻璃基底/Ag納米薄膜上附著的PANI薄膜,電致變色電壓最低、紅移范圍明顯。

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