編號：NMJS04410
篇名：納米中心拓撲晶態(tài)絕緣體碲化錫納米線研究獲得新進展展
作者：
關鍵詞：納米線； 絕緣體； 拓撲； 表面態(tài)； 納米級； 自旋電子器件； 納米結(jié)構； 化學氣相沉淀法； 比表面積； 首次通過
機構： 國家納米科學中心
摘要： <正>低維納米結(jié)構的比表面積大,可以有效的降低體相傳輸對表面的干擾作用因而增強表面態(tài)效應,更重要的是一維拓撲絕緣體在一維納米級的自旋電子器件領域扮演這重要的角色。國家納米科學中心何軍課題組使用化學氣相沉淀法首次合成了高質(zhì)量的單晶碲化錫納米線,并首次通過量子振蕩測試觀察到了它的拓撲表面態(tài)�；陧诨a納米線的四端器件,Aharonov-Bohm(AB)干涉效應和Shubnikov-de Haas(SdH)振蕩被觀察到,它們證實了碲化錫納米線高對稱性表面Dirac電子的存在。
