編號：NMJS04298
篇名：火焰法制備Al/MoO_3納米片陣列的影響因素
作者：趙娜； 沈金朋； 李瑞； 楊光成； 黃輝；
關(guān)鍵詞：應(yīng)用化學(xué)； 含能材料； Al/MoO3； 亞穩(wěn)態(tài)分子間復(fù)合物﹙MIC﹚； 火焰法；
機(jī)構(gòu)： 西南科技大學(xué)； 中國工程物理研究院化工材料研究所；
摘要： 亞穩(wěn)態(tài)分子間復(fù)合物﹙MIC﹚陣列由于具有高能量密度、小尺寸條件下能自持反應(yīng)的優(yōu)點(diǎn),在集成化火工品方面具有潛在的應(yīng)用價(jià)值。采用火焰法在硅基底上原位制備了高度有序的MoO3納米片陣列,探討了基底材料、納米陣列生長時(shí)間、火焰源因素對生成MoO3形貌的影響,得到了MoO3納米片陣列的優(yōu)化制備工藝條件:以硅片為基底,生長時(shí)間為5min和甲烷為火焰源。制備的納米片厚度為100~200nm,寬度約5μm,長度達(dá)到十幾個(gè)微米。分別采用磁控濺射和熱蒸發(fā)在MoO3納米片陣列表面鍍鋁得到Al/MoO3MIC陣列,在鋁膜厚度相同的情況下,采用熱蒸發(fā)鍍鋁方式優(yōu)于磁控濺射。熱蒸發(fā)鋁膜厚度為900nm時(shí),所獲得的Al/MoO3MIC陣列具有較高的放熱量,達(dá)到3276J·g1。
