編號：NMJS04270
篇名：不同環(huán)境濕度對 CuO 納米線生長及場發(fā)射性能的影響
作者：葉 蕓； 陳填源； 蔡壽金； 顏 敏； 劉玉會； 郭太良；
關(guān)鍵詞：CuO 納米線； 熱氧化法； 環(huán)境濕度； 場發(fā)射；
機構(gòu)： (福州大學(xué) 物理與信息工程學(xué)院； 福州 350002)；
摘要： 首先在 400℃的干燥空氣(流量為 500 sccm)及不同水汽流量(500、1500、3000、4000 sccm)等條件下分別熱氧化銅片獲得了系列垂直生長的氧化銅納米線, 隨后, 采用掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)、X 射線衍射(XRD)研究了不同條件下所制備的氧化銅納米線形貌、結(jié)構(gòu)等性能, 并進一步研究了其場發(fā)射性能。研究結(jié)果表明: 水汽對氧化銅納米線的密度及場發(fā)射性能影響較大, 在 500 sccm 空氣流量條件下, 通入水汽(500 sccm)條件下與未通入水汽條件生長得到的氧化銅納米線相比, 其密度明顯增大, 場發(fā)射性能提升, 其開啟場強約為 3.7V/μm, 明顯低于干燥空氣中生長氧化銅納米線的開啟場強(6.5 V/μm); 此外, 制備得到的氧化銅納米線的場發(fā)射性能隨著通入水汽量增大出現(xiàn)先提高后降低趨勢, 并且, 在通入水汽流量為 3000 sccm 時, 獲得最佳的氧化銅納米線場發(fā)射性能, 其開啟場強低至 1.4 V/μm。
