編號(hào)：NMJS04269
篇名：一種平行柵碳納米管陣列陰極的場發(fā)射特性研究
作者：雷達(dá)； 孟根其其格； 張荷亮； 智穎飆；
關(guān)鍵詞：平行柵碳納米管陣列； 懸浮球； 場增強(qiáng)因子； 接觸電阻；
機(jī)構(gòu)： 內(nèi)蒙古大學(xué)鄂爾多斯學(xué)院；
摘要： 建立一種平行柵碳納米管陣列陰極,利用懸浮球模型和鏡像電荷法進(jìn)行計(jì)算,給出碳納米管頂端表面電場與電場增強(qiáng)因子的解析式.在此基礎(chǔ)上,進(jìn)一步分析器件各類參數(shù)以及接觸電阻對(duì)陰極電子發(fā)射性能的影響.分析表明,碳納米管間距大約為2倍碳納米管高度時(shí)陣列陰極的分布密度最佳,靠邊緣部位的碳納米管發(fā)射電子能力比其中心部位的大;除碳納米管的長徑比之外,柵極寬度和柵極間距也對(duì)電場增強(qiáng)因子有一定作用;接觸電阻的存在大幅度降低碳納米管頂端表面電場與發(fā)射電流,而接觸電阻高于80kΩ時(shí)器件對(duì)陽極驅(qū)動(dòng)電壓的要求更高.
