編號：NMJS04239
篇名：納米壓印多孔硅模板的研究
作者：張錚； 徐智謀； 孫堂友； 徐海峰； 陳存華； 彭靜；
關(guān)鍵詞：納米壓��； 陽極氧化鋁； 多孔硅； 拉曼光譜；
機構(gòu)： 華中科技大學(xué)光學(xué)與電子信息學(xué)院； 中師范大學(xué)化學(xué)學(xué)院； 武漢科技大學(xué)理學(xué)院；
摘要： 納米壓印模板通常采用極紫外光刻、聚焦離子束光刻和電子束光刻等傳統(tǒng)光刻技術(shù)制備,成本較高.尋找一種簡單、低成本的納米壓印模板制備方法以提升納米壓印光刻技術(shù)的應(yīng)用成為研究的重點與難點.本文以多孔氧化鋁為母模板,采用納米壓印光刻技術(shù)對納米多孔硅模板的制備進(jìn)行了研究.在硅基表面成功制備出納米多孔陣列結(jié)構(gòu),孔間距為350—560nm,孔徑在170—480nm,孔深為200nm.在激發(fā)波長為514nm時,拉曼光譜的測試結(jié)果表明,相對于單面拋光的硅片,納米多孔結(jié)構(gòu)的硅模板拉曼光強有了約12倍左右的提升,對提升硅基光電器件的應(yīng)用具有重要的意義.最后,利用多孔硅模板作為納米壓印母模板,通過熱壓印技術(shù),成功制備出了聚合物納米柱軟模板.
