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        硅納米線的化學(xué)氣相沉積法合成

        編號(hào):NMJS04234

        篇名:硅納米線的化學(xué)氣相沉積法合成

        作者:王永成; 唐靜; 鄭耿鋒;

        關(guān)鍵詞:硅納米線; 化學(xué)氣相沉積法; 單一結(jié)構(gòu); 復(fù)合結(jié)構(gòu); 摻雜;

        機(jī)構(gòu): 復(fù)旦大學(xué)化學(xué)系先進(jìn)材料實(shí)驗(yàn)室;

        摘要: 硅納米線是近十幾年來(lái)在納米科學(xué)與技術(shù)領(lǐng)域快速發(fā)展的一種重要材料.通過(guò)精細(xì)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與材料合成,硅納米線在生物傳感、鋰離子電池、太陽(yáng)能電池和光電化學(xué)等領(lǐng)域展示出良好的應(yīng)用前景.化學(xué)氣相沉積(CVD)法是一大類重要的自下而上合成硅納米線方法.本文簡(jiǎn)介了CVD法合成硅納米線的主要進(jìn)展,包括具有單一結(jié)構(gòu)和復(fù)合結(jié)構(gòu)的硅納米線的合成.其中,單一結(jié)構(gòu)的硅納米包括本征(無(wú)摻雜)、摻雜和超長(zhǎng)的硅納米線;復(fù)合結(jié)構(gòu)的硅納米線包括軸向異質(zhì)結(jié)、徑向異質(zhì)結(jié)、轉(zhuǎn)折結(jié)構(gòu)和樹枝狀結(jié)構(gòu)的硅納米線.

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