編號：NMJS04225
篇名：轉(zhuǎn)移矩陣法的納米波導導波特性分析
作者：集成光波導； 納米； 轉(zhuǎn)移矩陣； 圖解法
關(guān)鍵詞：集成光波導； 納米； 轉(zhuǎn)移矩陣； 圖解法
機構(gòu)： 中國計量學院信息工程學院
摘要： 一種新型納米光波導結(jié)構(gòu),由二氧化硅/硅/空氣/硅/二氧化硅五層介質(zhì)構(gòu)成,將光能量限制在低介電常數(shù)的中間空氣狹縫中傳輸,利用轉(zhuǎn)移矩陣法對其傳輸特性進行了詳細分析,推導出了TM模式的本征色散方程,給出了TM模式電場和磁場分布以及電磁場能量分布的解析表達式.進而利用圖解法求解了本證色散方程,分析了硅層和空氣層厚度對電磁場能量分布的影響,給出了波導的優(yōu)化尺寸均在幾百納米左右.對于波導存在一種和兩種TM模式的情況進行了分析,單模情況(只存在TM0模)要比多模情況對光能量限制好很多,在多模情況下高階模要比低價模對光的限制好,這是和一般傳統(tǒng)波導不相同的地方;同時光在導波層(低介電常數(shù)的介質(zhì)層)的傳播速度要小于光在相應介質(zhì)中的傳播速度,即表現(xiàn)出慢波特性.
