編號：CPJS01872
篇名：氧化鋁復合磨粒對硬盤NiP/Al基板CMP的研究
作者：麻鵬飛； 張萍； 蔣春東； 吳疆
關鍵詞： Al2O3拋光液； NiP/Al基板； 化學機械拋光
機構： 四川大學材料科學與工程學院
摘要： 在Al2O3表面改性的基礎上,制備了以氧化鋁、水、雙氧水、氫氧化鈉溶液為主要成分的拋光液,研究了計算機NiP/Al硬盤盤基片的化學機械拋光(chemical mechanical polishing,簡稱CMP)特性.通過螺旋測微儀測量了NiP/Al硬盤盤基片表面在不同拋光壓力、拋光盤轉速、時間、pH值下的材料去除率,利用原子力顯微鏡AFM表征了拋光后的硬盤盤基片表面粗糙度及形貌,并分析研究了Al2O3拋光液的CMP機理.最終得到最佳拋光工藝參數:拋光盤速率為30r/min、拋光壓力2.1kPa、拋光時間為60min、拋光液pH值為9,此時表面粗糙度Ra為4.67nm.
