編號：FTJS03867
篇名：鈦硅多元摻雜類金剛石薄膜在不同氣氛環(huán)境下的摩擦學性能研究
作者：姜金龍； 黃浩； 陳娣； 王瓊； 馮旺軍； 郝俊英；
關(guān)鍵詞：類金剛石薄膜； 多元摻雜； 中頻磁控濺射； 氣氛環(huán)境； 摩擦學性能；
機構(gòu)： 蘭州理工大學應(yīng)用物理系； 中國科學院蘭州化學物理研究所固體潤滑國家重點實驗室；
摘要： 采用中頻磁控濺射技術(shù)在單晶硅表面制備了鈦硅多元摻雜的含氫類金剛石薄膜.在球-盤摩擦試驗機上考察了不同氣氛環(huán)境對薄膜摩擦學性能的影響.利用掃描電子顯微電鏡和拉曼光譜分析了磨損表面形貌和轉(zhuǎn)移層結(jié)構(gòu),探討了薄膜的摩擦磨損機理.結(jié)果表明:薄膜在真空和氮氣環(huán)境下摩擦系數(shù)較小、磨損率低,表現(xiàn)為磨粒磨損;在氧氣和高濕度大氣環(huán)境下摩擦系數(shù)較大、磨損率高,表現(xiàn)為黏著磨損;在低濕度空氣環(huán)境下薄膜摩擦系數(shù)最低,表現(xiàn)為磨粒磨損和黏著磨損混合磨損機理;轉(zhuǎn)移層發(fā)生摩擦誘導(dǎo)石墨化和聚乙炔鏈CC鍵雙氫化兩種摩擦化學過程.
