編號(hào)：NMJS03810
篇名：一種獲得納米間隙電極的接觸光刻方法
作者：張玉龍； 張艷； 蔣書(shū)森
關(guān)鍵詞：電極對(duì)； 納米間隙； 陣列誤差光刻； 接觸光刻； 納米電子學(xué)
機(jī)構(gòu)： 廈門(mén)大學(xué)薩本棟微米納米科學(xué)技術(shù)研究院
摘要： 提出一種稱之為"陣列誤差光刻"的方法。采用兩次接觸光刻和兩次金屬剝離工藝,形成兩組頂端相對(duì)的電極陣列,利用第二次接觸光刻時(shí)的對(duì)準(zhǔn)誤差,在這兩組電極之間按照概率分布形成了一個(gè)最小的納米間隙。設(shè)計(jì)并制作了一種含有16對(duì)電極的驗(yàn)證器件,按照光刻對(duì)準(zhǔn)誤差的范圍為±2.0μm進(jìn)行估算,理論上最小間隙的分布范圍為0～150 nm。通過(guò)掃描電鏡測(cè)量實(shí)際制造的樣品,獲得了大量50 nm以下的電極對(duì),最小間隙為16.6 nm,并且制備的電極層厚度可以達(dá)到200 nm,使串聯(lián)電阻較小。這種納米間隙電極的制備方法簡(jiǎn)單有效。
