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        微立方結構基底上生長碳納米管薄膜的強流脈沖發(fā)射特性

        編號:NMJS03790

        篇名:微立方結構基底上生長碳納米管薄膜的強流脈沖發(fā)射特性

        作者:麻華麗; 張新月; 霍海波; 曾凡光; 王淦平; 向飛;

        關鍵詞:強流脈沖發(fā)射; 碳納米管; 微立方陣列; 線性增加; 穩(wěn)定性;

        機構: 鄭州航空工業(yè)管理學院數(shù)理系; 中國工程物理研究院應用電子學研究所,高功率微波技術重點實驗室;

        摘要: 采用酞氰鐵高溫熱解方法在具有微立方結構的化學鍍鎳硅基底上生長了碳納米管薄膜(Si/Ni-CNTs),并在20GW脈沖功率源系統(tǒng)中采用二極結構對其強流脈沖發(fā)射特性進行了研究。研究結果表明,在單脈沖發(fā)射條件下,隨脈沖電場峰值的增大,Si/Ni-CNTs薄膜的發(fā)射電流峰值呈線性增加,當宏觀場強達到31.4 V/μm時,發(fā)射脈沖電流的峰值可達到14.74kA,對應的發(fā)射電流密度1.23kA/cm2,在相同峰值,連續(xù)多脈沖情況下,碳納米管薄膜具有良好的發(fā)射可重復性,且發(fā)射性能穩(wěn)定。

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