編號：NMJS03766
篇名：模板法交流沉積金納米線的影響因素
作者：吳曌； 張云望； 杜凱；
關鍵詞：多孔氧化鋁模板； 阻擋層； 交流電沉積； 金納米線；
機構： 中國工程物理研究院激光聚變研究中心；
摘要： 使用交流電沉積在多孔氧化鋁模板中制備金納米線,對交流電沉積時阻擋層厚度、交流電壓、交流頻率等因素進行了系統(tǒng)的研究和探討。使用交流電沉積制備出了直徑30 nm、長度2.1μm的形貌完好、長度均一的金納米陣列。結果表明模板的阻擋層厚度能夠顯著影響金屬的沉積電位,是保證沉積順利進行的重要因素。通過記錄、分析不同條件下交流沉積過程中時間-電流曲線來對交流沉積過程進行深入研究并提出相應機理。發(fā)現(xiàn)同頻率下平臺電流值不變,納米線的長度與交流電壓大小成正比,而同電壓下沉積的平臺電流與交流電頻率成正比,這些都與阻擋層的半導體特性有關。
