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        CeO2納米線的合成及影響因素的探討

        編號(hào):NMJS03698

        篇名:CeO2納米線的合成及影響因素的探討

        作者:彭歡; 周新木; 李靜; 黃肖鳳; 周雪珍; 李永繡

        關(guān)鍵詞:氧化鈰; 納米線; 合成; 影響因素

        機(jī)構(gòu): 南昌大學(xué)化學(xué)系

        摘要: 采用水熱法合成了粒徑為25 nm的CeO2納米線,采用X射線衍射儀(XRD)、掃描電鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)對(duì)其進(jìn)行了表征和觀察;同時(shí)考察了沉淀劑種類、沉淀劑濃度、分散劑種類和反應(yīng)時(shí)間等因素對(duì)納米線的合成的影響,最終得到合成納米線的最佳工藝條件為:以氯化鈰為鈰源,氫氧化鈉為沉淀劑,CTAB為分散劑時(shí)所合成的納米線分散性好,粒徑均一。討論了納米線的影響因素。

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