編號：NMJS03636
篇名：直接沉淀法制備納米CuO及室溫脫除H2S性能的研究
作者：李 芬1； 張彥平2； 王 悅1； 王艷紅1； 楊勝宇1； 雷 濤1
關鍵詞：直接沉淀法； 納米CuO； 室溫脫硫；
機構： (1.哈爾濱理工大學 化學與環(huán)境工程學院,綠色化工技術黑龍江省高校重點實驗室,黑龍江 哈爾濱150040； 2.河北工業(yè)大學 土木工程學院,天津300401)
摘要： 考察了納米氧化銅直接沉淀法制備工藝對其脫硫活性和晶粒尺寸的影響,并利用XRD和TEM對脫硫劑的結構進行了表征。結果表明,所制備的納米CuO為單斜晶系結構。原料濃度過低、沉淀劑用量小均不利于生成小尺度的納米CuO。但加熱條件下,前驅體有分解形成氧化銅趨勢,晶粒尺寸略有增大;當n(OH- )∶n(Cu2+ )=2.5∶1,原料濃度0.4mol/L,攪拌溫度為25℃,300℃焙燒時獲得的納米CuO脫硫活性最好,其穿透時間可達640min,此時納米CuO晶粒尺寸為11.8nm,顆粒的分散性較好;納米CuO的脫硫活性受其晶粒大小的影響,但只有晶粒尺寸相差較大時,兩者之間才呈現(xiàn)出明顯的相關性。
