編號：FTJS00311
篇名：Sb摻雜SnO2納米粉體的結晶行為和電學性能
作者：張建榮 顧達等
關鍵詞：Sb 摻雜 SnO2 銻 納米粉體 結晶行為 電學性能 半導體材料 二氧化錫 非均相成核法
機構： 華東理工大學化學系，上海200237
摘要： 采用非均相成核法制備了Sb摻雜的SnO2（ATO）納米粉體。研究了粉體電學性能、粒徑、晶胞參數隨Sb摻雜量的變化關系及粉體電學性能、粒徑隨煅燒溫度的變化關系。應用非晶物質晶化晶核生長速率方程計算了晶粒生長活化能。結果表明，晶粒生長分為2個階段，其活化能分別為21．94和4．52kJ/mol。
出處：應用化學.2002,19(6).-552-555
