編號(hào)：FTJS00303
篇名：納米SiC和SiC(N)粉體的微波介電特性及其與微波的作用機(jī)理
作者：趙東林 萬(wàn)偉等
關(guān)鍵詞：微波 納米SiC(N)復(fù)相粉體 納米SiC粉體 微波介電特性 作用機(jī)理 納米材料 復(fù)合材料
機(jī)構(gòu)： 西北工業(yè)大學(xué)凝固技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，陜西西安710072
摘要： 研究了納米SiC粉體和納米SiC(N)復(fù)相粉體在8.2-12.4GHz頻率范圍的介電特性及其與微波的作用機(jī)理，發(fā)現(xiàn)納米SiC(N）復(fù)相粉體介電常數(shù)的實(shí)部（ε′）和虛部（ε′′）在8.2-12.4GHz范圍內(nèi)隨頻率增大而減小，介電損耗（tgδ=ε′′/ε′）較高，是較為理想的微波吸收材料。納米SiC粉體的ε′、ε′′和tgδ明顯小于納米SiC(N)復(fù)相粉體的，對(duì)微波的吸收不理想。提出了納米SiC(N)復(fù)相粉體對(duì)微波的吸收機(jī)理。納米SiC(N)復(fù)相粉體中的SiC微晶固溶了大量的N原子，在納米SiC(N)復(fù)相粉體中形成大量的帶電缺陷，這些帶電缺陷在電磁波交變電場(chǎng)作用下產(chǎn)生極化耗散電流，強(qiáng)烈的極化馳豫過(guò)程導(dǎo)致大的介電損耗。
出處：西北工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào).2002,20(2).-167-171
