編號：FTJS00289
篇名：Si/C/N納米粉體的吸波特性研究
作者：焦桓 羅發(fā)等
關(guān)鍵詞：Si/C/N納米粉體 吸波特性 介電性能 吸波結(jié)構(gòu) 優(yōu)化設(shè)計 吸波機理 碳化硅 隱身材料
機構(gòu)： 西北工業(yè)大學(xué)凝固技術(shù)國家重點實驗室，西安710072
摘要： 采用XRD研究了氮原子百分含量為11．61％的Si/C/N納米粉體的相組成，并測定了測粉體介電常數(shù)根據(jù)介電常數(shù)，分別優(yōu)化調(diào)離了單層和雙層的吸波涂層，設(shè)計的吸波涂層對8－18GHz范圍的電磁波有較好的吸收作用，設(shè)計厚度為2．7mm的單層吸波涂層，在8－5GHz范圍內(nèi)反射率＜－5dB，設(shè)計厚度為2．8mm的雙層吸波涂層，在8－18GHz頻率范圍內(nèi)電磁波的反射率均＜－5dB，反射率＜－8dB的頻帶為6GHz，針對納米粉體的吸波特性，提出了Si/C/N納米粉體的吸波機理。
出處：無機材料學(xué)報.2002,17(3).-595-598
