編號：SBJS00340
篇名：MgO納米線的制備及其電子發(fā)射性能的研究
作者：王靈婕1； 熊飛兵1； 郭太良2； 楊尊先2； 葉 蕓2
關鍵詞：納米材料； MgO； 場致發(fā)射
機構： 1.廈門理工學院 光電與通信工程學院,福建 廈門361024； 2.福州大學 物理與信息工程學院,福建 福州350002
摘要： 采用碳熱還原-氧化法成功制備大小均勻的MgO納米線,采用場致發(fā)射電子顯微鏡(FESEM)和X射線衍射(XRD)表征其形貌及晶體結構。采用絲網(wǎng)印刷將MgO納米線轉(zhuǎn)移到陰極電極,并將陰極電極與印刷有熒光粉的陽極電極組裝成二級場致發(fā)射器件。場致電子發(fā)射測試表明MgO納米線具有較好的電子 發(fā) 射 特 性:其 閾 值 電 場 強 度 僅 為3.82V/μm(1mA/cm2),最 高 電 流 密 度 達 到2.68mA/cm2 (4.01V/μm),發(fā)光亮度為1152cd/m2,4h內(nèi)沒有明顯的衰減。MgO有望作為冷陰極材料在場致發(fā)射器件上得到應用。
