編號：FTJS00285
篇名：納米Si/C/N復(fù)相粉體的微波吸收特性
作者：趙東林 周萬城
關(guān)鍵詞：納米Si/C/N復(fù)相粉體 微波吸收特性 微觀結(jié)構(gòu) 界面作用 雙反應(yīng)室激光氣相合成
機(jī)構(gòu)： 西北工業(yè)大學(xué)凝因技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，西安710072
摘要： 采用雙反應(yīng)室激光氣相合成納米粉體裝置，以六甲基二硅胺烷（Me2Si）2NH）（Me：CH2）為原料合成了納米Si/C/N復(fù)相粉體，粉徑為20nm～30nm，研究了納米Si/C/N復(fù)相粉體在8.2GHz～18GHz的微波吸收特性，結(jié)果表明：納米Si/C/N復(fù)相粉體介電常數(shù)的實(shí)部（ε′）和虛部（ε″）在8.2GHz～18GHz隨頻率增大而減不，介電損耗(thδ=ε″/ε′）較高，是較為理想的微波吸收材料，納米Si/C/N復(fù)相粉體在不同基體中的微波吸收特性出現(xiàn)很大差異。納米Si/C/N復(fù)相粉體中的SiC微晶固溶了大量的N原子，形成大量帶電缺陷，極化弛豫是吸收微波的主要原因，根據(jù)納米Si/C/N復(fù)相粉體與石蠟復(fù)合體的實(shí)測介電參數(shù)，設(shè)計(jì)出多組在8GHz～18GHz范圍內(nèi)微波反射系數(shù)R≤-8dB的吸波涂層結(jié)構(gòu)。
出處：復(fù)合材料學(xué)報(bào).2002,19(2).-65-70
