編號(hào)：NMJS03375
篇名：多孔陽極氧化鋁模板法交流電沉積單晶鎳納米線陣列
作者：袁新國； 彭喬；
關(guān)鍵詞：交流電沉積； 鎳納米線； 單晶鎳； 多孔陽極氧化鋁模板；
機(jī)構(gòu)： 大連理工大學(xué)化工學(xué)院；
摘要： 一維納米材料在光學(xué)、電學(xué)、磁學(xué)等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。采用二次陽極氧化法,結(jié)合逐級(jí)降壓法制備了多孔陽極氧化鋁(AAO)模板,然后在其上交流電沉積了單晶鎳納米線陣列。利用SEM,XRD,TEM等對(duì)鎳納米線陣列的形貌和結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征,探討了沉積效果與沉積電流密度-時(shí)間曲線和穩(wěn)定沉積電流密度大小之間的關(guān)系。結(jié)果表明:沉積電流-時(shí)間曲線為V形時(shí),電流先降后升,穩(wěn)定沉積電流密度較大,無法獲得鎳納米線;曲線為典型的L形、穩(wěn)定沉積電流密度為2 mA/cm2時(shí),鎳沉積效果很好,鎳納米線排列整齊、粗細(xì)均勻、直徑與AAO模板孔徑相同,并沿Ni(111)晶面擇優(yōu)生長。本法適合于磁性納米件和大規(guī)模集成電路的制造。
