編號：FTJS03427
篇名：SiO_2在真空低價氟化法煉鋁過程的分布
作者：李秋霞； 劉永成； 荊碧； 楊斌； 戴永年；
關(guān)鍵詞：鋁冶金； 真空； 歧化反應(yīng)； 二氧化硅； 行為；
機構(gòu)： 云南師范大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院； 昆明理工大學(xué)真空冶金國家工程實驗室；
摘要： 熱力學(xué)研究得出:當(dāng)系統(tǒng)殘余壓力為100~10 Pa時,SiO2與碳反應(yīng)在1465~1353 K以上即可生成Si和CO;在1329~1225 K以上即可生成SiC和CO;SiO2和還原劑碳及氟化鋁在1464~1353 K以上反應(yīng)生成SiF4和CO及鋁。實驗考察了真空低價氟化法煉鋁過程中SiO2的分布。XRD表明:SiO2在低價氟化法煉鋁過程中有五種走向:(1)被還原成SiC,存在于殘渣相;(2)被還原為單質(zhì)硅,再與還原出的鐵生成硅鐵,存在于殘渣相;(3)SiO2與冰晶石生成鋁硅酸鹽進入氣相中;(4)SiO2與冰晶石生成氣態(tài)SiF4,再與冰晶石分解的氟化鈉形成Na2SiF6進入冷凝相;(5)形成氣態(tài)低價氧化硅,再在合適溫度下分解為單質(zhì)硅進入冷凝相。
