編號(hào)：NMJS03210
篇名：用掠入射XAFS方法研究Ti/Ni/Ti納米薄膜的界面結(jié)構(gòu)
作者：于海生； 黃宇營(yíng)； 魏向軍； 姜政； 王建強(qiáng)； 顧頌琦； 張碩； 高星；
關(guān)鍵詞：掠入射； X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)(XAFS)； Ti/Ni/Ti薄膜； X射線反射(XRR)；
機(jī)構(gòu)： 中國(guó)科學(xué)院上海應(yīng)用物理研究所；
摘要： 在上海光源BL14W1線站建立了掠入射XAFS(GI-XAFS)方法,利用GI-XAFS方法并結(jié)合X射線反射(XRR)研究了直流磁控濺射方法生長(zhǎng)在W/Si基底上的Ti/Ni/Ti納米薄膜的界面結(jié)構(gòu)隨Ni層厚度的變化。結(jié)果表明,隨著薄膜厚度的增加,Ni/Ti界面層間的相互擴(kuò)散有所增加,Ni層厚度為5 nm時(shí),Ni/Ti界面層間的擴(kuò)散厚度為2 nm左右;Ni層厚度為1 nm時(shí),由于無(wú)序度較大,Ni-Ni配位和Ni-Ti配位的鍵長(zhǎng)有所收縮;隨著薄膜Ni層厚度的減小,無(wú)序度逐漸增加,Ni-Ti配位增加,Ni-Ni配位減少。
