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CPS-24000納米粒度儀助力鼎龍攻克“卡脖子”材料技術(shù)難題

據(jù)長(zhǎng)江商報(bào)報(bào)道，在發(fā)布會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，我司納米粒度分析儀的用戶鼎龍股份集團(tuán)旗下子公司武漢柔顯科技股份有限公司、湖北鼎匯微電子材料有限公司、武漢鼎澤新材料技術(shù)有限公司，及聯(lián)合單位武漢鼎龍匯達(dá)材料科技有限公司發(fā)布了多款重磅新品，展示了半導(dǎo)體CMP用拋光墊、清洗液、修整盤、拋光液、納米研磨粒子以及OLED顯示光敏聚酰亞胺、封裝墨水、低溫光阻材料等20余款“卡脖子”材料。而化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical mechanical polishing，CMP）是集成電路芯片的一個(gè)關(guān)鍵制程，國(guó)內(nèi)拋光所用關(guān)鍵材料CMP拋光墊，幾乎全部依賴進(jìn)口。

CMP典型的拋光漿料都是納米級(jí)發(fā)煙硅石(5Vol%，170-230nm)、高純硅膠(9Vol%，60 - 80nm)、氧化鈰(6Vol %，200 - 240nm)或氧化鋁顆粒，它們的粒度或粒度分布必須小心地進(jìn)行控制以免在拋光面上產(chǎn)生刮痕。CMP漿料的分散穩(wěn)定性和保存期也是必須被認(rèn)真考慮的重要環(huán)節(jié)。這種納米漿料的使用濃度一般在(5- 30W%)，容易聚集。隨著貯存時(shí)間延長(zhǎng)，它的粒度可能增大從而導(dǎo)致?lián)p害的產(chǎn)生。

CMP漿料粒度分析的難點(diǎn)在于必須在拋光過程中全濃度條件下快速測(cè)定平均顆粒直徑和粒度分布，因?yàn)橄♂尶赡軐?dǎo)致漿料穩(wěn)定性和粒度的變化(比如進(jìn)一步的團(tuán)聚或解聚)，另外在稀釋后的漿料中很難檢測(cè)本來就極少量的團(tuán)聚體。

CPS-24000型納米粒度分析儀是最新型的納米粒度分析儀，它采用斯托克斯定律分析方法，V = D2(ρ_P -ρ_F) G / 18 η，即顆粒沉降的速度與顆粒的尺寸平方成正比來進(jìn)行粒度的測(cè)量，因此粒徑相差小至1%的顆粒都可以明顯分辨出來。適用于極稀到高濃度的樣品粒度測(cè)定，對(duì)團(tuán)聚體的存在非常敏感。

  

 為了提高粒徑的測(cè)量精度，需要極高的圓盤轉(zhuǎn)速，目前市面上常見的運(yùn)行速度最高在15000RPM，而國(guó)內(nèi)在1500RPM，無法滿足CPM化學(xué)機(jī)械拋光的需求。

CPS-24000納米粒度儀的最高轉(zhuǎn)速為24000轉(zhuǎn)，測(cè)試范圍在5nm-75um，每次加樣只需要0.1ml，降低樣液的測(cè)試成本，可連續(xù)測(cè)量多達(dá)40個(gè)樣品。

CPS納米粒度分析儀的使用方法已經(jīng)列入國(guó)標(biāo)，包括《金屬粉末粒度分布的測(cè)量-重力沉淀光透法》、《煤礦粉塵粒度分布測(cè)定方法》、《橡膠配合劑-炭黑-聚集體尺寸的測(cè)定-使用光跟蹤盤式離心沉淀儀法》等

儀器的主要參數(shù)為

測(cè)量范圍：0.005-75μm

光源：405nm LED

旋轉(zhuǎn)速度可選：12.000 RPM、18.000 RPM、24.000 RPM

標(biāo)準(zhǔn)分析圓盤：CR-39聚合物（耐有機(jī)溶劑和水溶液）

可選配：低密度樣品分析擴(kuò)展、變速圓盤；自動(dòng)密度梯度液生成器（型號(hào)

AG300）；自動(dòng)進(jìn)樣器（型號(hào)AS200）；標(biāo)定用標(biāo)準(zhǔn)顆粒