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        FRITSCH高能球磨一一鎳催化氫化鎂儲(chǔ)氫材料相關(guān)應(yīng)用

        FRITSCH高能球磨一一鎳催化氫化鎂儲(chǔ)氫材料相關(guān)應(yīng)用
        德國飛馳  2024-04-12  |  閱讀:1276

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        一、        儲(chǔ)氫材料

        儲(chǔ)氫材料(hydrogen storage material)是一類能可逆地吸收和釋放氫氣的材料,可用于氫氣運(yùn)輸儲(chǔ)存、熱傳感器制作、燃料電池以及氫能汽車等多個(gè)領(lǐng)域。

                                    1.png                 

        Mg具有高儲(chǔ)氫量、優(yōu)異循環(huán)性能和環(huán)境友好等優(yōu)點(diǎn),被認(rèn)為是最有發(fā)展前途的儲(chǔ)氫材料之一。MgH2因其含氫量(7.6 wt.%) 、體積儲(chǔ)氫密度(110 g/L)以及儲(chǔ)量豐富、相對(duì)便宜且無毒而備受關(guān)注。

        二、        MgH2材料與高能球磨

        MgH2的形成焓高達(dá)-74.6kJ/mol,因此脫氫過程通常需要在比較高的溫度的條件下進(jìn)行,而其本質(zhì)原因是其熱力學(xué)性質(zhì)過于穩(wěn)定。

        與塊狀或大晶粒多晶Mg相比,高能球磨產(chǎn)生的納米晶MgH2具有更快的吸放氫動(dòng)力學(xué),這是因?yàn)榻?jīng)機(jī)械研磨的材料顆粒尺寸減小,增加了比表面積,這縮短了氫原子的擴(kuò)散距離,并有利于H2分子吸附到合金表面,有利于提高合金吸放氫反應(yīng)速率。

        使用FRITSCH單罐行星式球磨機(jī)PULVRISETTE 6,對(duì)球磨時(shí)間對(duì) MgH2 + 0.05 Ni 體系的形貌、微觀結(jié)構(gòu)和催化劑分散性能的影響進(jìn)行研究。并使用組合表征技術(shù),包括透射電子顯微鏡(TEM)和掃描電子顯微鏡(SEM);能量色散x射線光譜學(xué)(EDX);以及x射線衍射(XRD)等,研究了研磨時(shí)間對(duì)材料的影響。

        三、        實(shí)驗(yàn)方案

        使用FRITSCH的單罐行星式球磨機(jī)PULVERISETTE 6對(duì)Ni催化MgH2進(jìn)行研磨。

        P-6 classic line_steel grinding bowl.jpg

        實(shí)驗(yàn)配置如下:

        樣品

        MgH2(MgH2,純度95%)、

        Ni納米粉(平均直徑為50 nm)

        混合比例 20:1

        樣品量

        1g

        研磨配件

        80 ml硬質(zhì)不銹鋼研磨罐、

        30×直徑7mm鍍鉻鋼研磨球

        惰性氣體

        氬氣

        轉(zhuǎn)速

        400rpm

        研磨時(shí)間

        1h;5h;10h(共制備3批樣品)

        四、        實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析

        1.      脫氫性能隨球磨時(shí)間的變化

        樣品的氫釋放行為如圖所示,如圖1a為脫氫的重量損失分?jǐn)?shù)曲線,圖1b為重量損失導(dǎo)數(shù)曲線;放氫的起始溫度和總重量損失列于表1。

        3.png

        1 TGA(熱重分析)Ni催化MgH2分別研磨1,5與10h的(a)重量損失分?jǐn)?shù)曲線與(b)重量損失導(dǎo)數(shù)曲線。

        1 從熱重分析中導(dǎo)出的放氫相關(guān)數(shù)據(jù)。

        4.表一.PNG

        括號(hào)中列出數(shù)據(jù)來自第二組樣本。

        從圖中可以看出,隨著機(jī)械研磨時(shí)間的增加,脫氫性能有所下降, 研磨1h的解吸溫度比5h和10h的解吸溫度低約25℃;脫氫在大約相同的溫度下完成,在325℃時(shí),1h和10h的樣品都釋放了5.9wt.%的氫。

        對(duì)圖1b中的解吸數(shù)據(jù)進(jìn)行定量分析,將曲線擬合為多個(gè)熱激解吸過程。峰值位置及擬合參數(shù)見表2。

        2 TGA重量損失導(dǎo)數(shù)對(duì)應(yīng)曲線的峰值位置與擬合參數(shù)。

        5.表二.PNG

        “n/a”表示該材料的解吸曲線中不存在此數(shù)據(jù)。

        *Ea = 1.7 eV時(shí),前因子約小10倍,而當(dāng)Ea = 1.9 eV時(shí),則約大10倍。

        擬合表明,每個(gè)樣品有2~3個(gè)解吸過程,活化能在1.8±0.1eV量級(jí)。在研磨1h的樣品中,放氫的起始階段是一個(gè)漸進(jìn)的過程,而隨著研磨時(shí)間的增加,放氫速率急劇增加,研磨時(shí)間為10h的樣品脫氫速率最快。在1h樣品中,大部分脫附發(fā)生在255±5℃的峰值,而隨著研磨時(shí)間的延長,總體放氫發(fā)生在高溫的比例越來越大,研磨10h后,幾乎所有的放氫都發(fā)生在270±5°C的峰值。

        另外,與1 h和10 h的材料相比,5 h的材料產(chǎn)生了更復(fù)雜的解吸行為,峰數(shù)更多。

        2.      形貌和催化劑分散特性隨球磨時(shí)間的變化

        (1)粒子組成

        研磨1h和10h的相應(yīng)樣品粉末XRD光譜如圖2所示。

        6.png

        2

        利用MDIJADE對(duì)衍射峰進(jìn)行了分析,與1h樣品相比,10h樣品的MgH2峰更寬,強(qiáng)度更小,可通過研磨細(xì)化晶粒尺寸。將研磨1h和10h樣品中MgH2和Ni的衍射峰放大,以便進(jìn)一步檢查,如圖3所示。

        7.png

        3 放大圖2中研磨1 h和10 h材料的XRD光譜中的峰(分別為灰色和黑色)。在1 h樣品的MgH2 (a和c)和Ni (b) 峰中觀察到了雙重態(tài)。Mg2NiH4峰(c)出現(xiàn)在研磨10 h的光譜中。MgO峰(d)在兩組研磨時(shí)間對(duì)應(yīng)的光譜中都存在,并且是等效的。

        3 以圖3中擬合峰為準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)量,其中主峰和重峰的位置、間隔,以及峰對(duì)應(yīng)的晶格面的收縮百分比如下。

        8.表三.PNG

        4 通過圖3中擬合峰測(cè)量的主峰和重峰的面積和高度,以及MgH2主峰/重峰各總面積和面積比。

        9.表四.PNG

        研磨10h后的XRD譜圖中未發(fā)現(xiàn)雙峰,然而MgH2峰較寬,其位置可能會(huì)使雙峰被主峰遮擋;對(duì)比研磨1h和10h樣品的Ni峰(圖3b)可以看出,隨著研磨時(shí)間的延長,晶粒尺寸減小,同時(shí)金屬間化合物Mg2NiH4(圖3c)形成,通過電子衍射可以證實(shí)金屬間相的存在。

        在兩種樣品中都存在原生(200)MgO衍射峰(圖3d),雖然在兩種情況下它的強(qiáng)度都很低;在1h和10h的研磨光譜中,沒有看到氧化物峰的大小和形狀的差異。

        (2)材料形貌

        在圖4所示的SEM圖像中體現(xiàn)了聚集體結(jié)構(gòu)隨研磨時(shí)間增長的變化。

        10.png

        4 MgH2聚集體在摻雜Ni材料 (a)研磨1 h,(b)研磨5 h和(c)研磨10 h的研磨狀態(tài)下的SEM顯微照片(所有圖像的放大倍率相同)。

        團(tuán)塊粒度的范圍分布與研磨時(shí)間沒有明顯關(guān)聯(lián),唯一明顯表現(xiàn)出來的是研磨時(shí)間對(duì)整體材料表面粗糙度的影響,即粗糙度隨著研磨時(shí)間的增加而增加。

        在圖5所示的明場(chǎng)電子顯微鏡和隨附的選定區(qū)域衍射圖中,比較了聚集體的微觀結(jié)構(gòu)和晶體結(jié)構(gòu)。

        11.png

        5 研磨 (a) 1h,(b) 5h和(c) 10h的材料,其示例聚集體的TEM顯微照片以及電子衍射圖(所有比例尺均為50nm)。

        電子衍射圖表明,隨著球磨時(shí)間的延長,材料呈隨機(jī)性增大的多晶結(jié)構(gòu)。聚集體的多晶性質(zhì)與電子顯微照片上的對(duì)比變化是一致的。區(qū)域間的對(duì)比變化符合研磨時(shí)間越長晶粒尺寸越小的規(guī)律。

        氧化層覆蓋在MgH2聚集體表面,其與研磨時(shí)間無明顯關(guān)聯(lián),在EDS圖和SAED模式中可以觀察到,分別如圖6和7所示。

        12.png

        6 摻Ni的MgH2聚集物在研磨1 h后的EDS化學(xué)圖

        13.png

        7 (a)摻雜Ni的MgH2研磨1 h的明場(chǎng)TEM顯微圖;(b)將物鏡孔徑放置在部分MgO(220)衍射環(huán)上形成的暗場(chǎng)TEM圖像。

        圖6中慢掃描(停留時(shí)間為500 ms)的圖像清楚地顯示了聚集體上的氧化表面層。由于這些區(qū)域的高計(jì)數(shù)率使x射線探測(cè)器過飽和,因此在慢掃描中Ni粒子呈現(xiàn)殼狀;使用更短的停留時(shí)間(100 ms)的快速掃描能夠證實(shí)Ni顆粒為固體狀態(tài)。

        圖7給出了粒子的明場(chǎng)電子顯微照片,相應(yīng)的衍射圖案和使用衍射環(huán)的一部分形成的暗場(chǎng)顯微照片。MgO的存在如圖7b所示,220暗場(chǎng)圖像顯示尺寸為1.2 - 3nm的氧化物納米顆粒。在5h和10h的樣品中,氧化層明顯更加粗糙。

        (3)催化劑分散特性

        隨著研磨時(shí)間的延長,Ni催化劑的形狀、尺寸和分散度發(fā)生了很大的變化,隨著研磨時(shí)間的延長,Ni的分散度變得更細(xì)、更均勻??蓮膱D8所示的具有代表性的高角環(huán)形暗場(chǎng)(HAADF)-STEM圖像和圖9所示的EDS數(shù)據(jù)中看出。

        14.png

        8 1 h (a-c) 、5 h (d-f) 和10 h (g-i) 合成狀態(tài)摻Ni MgH2樣品的HAADF-STEM 顯微圖。

        15.png

        9 合成狀態(tài)下研磨1 h、5 h和10 h樣品的EDS化學(xué)圖譜(所有圖的寬度都是2.189μm)。

        3.      結(jié)論

        實(shí)驗(yàn)研究了球磨時(shí)間對(duì)高能球磨得到的Ni催化MgH2材料的形貌和催化劑分散性能的影響

        Ni催化劑顆粒在研磨1 h后高度局域化,但隨著研磨時(shí)間的增加,顆粒粒徑呈非線性減小,離散的Ni顆粒在研磨10 h后達(dá)到了更加均勻的狀態(tài)。隨著研磨時(shí)間的增加,更多的Ni轉(zhuǎn)化為金屬間化合物Mg2NiH4,這可以解釋脫附溫度升高的現(xiàn)象。這對(duì)于催化劑的選擇具有一定的意義,即應(yīng)該選擇具有低混相性的氫化物催化劑。另外,電子斷層掃描顯示,在研磨1h后,Ni粒子同時(shí)存在于MgH2的內(nèi)部和外部,并且隨著研磨時(shí)間的延長,內(nèi)部與外部Ni的比例增大。

        在這3組研磨中,MgH2顆粒聚集體均由納米晶MgO外殼包裹,氧化殼在放氫過程中保持完整,未觀察到Mg的逸出。研磨5 h和10 h的材料其氧化層與研磨1 h的材料相比明顯更加粗糙,這表明該氧化層的某些具體特性可能是影響吸氫過程的重要因素。

        五、        FRITSCH優(yōu)勢(shì)

        單罐行星式球磨機(jī)PULVERISETTE 6經(jīng)典型

        研磨細(xì)度(取決于樣品材質(zhì)):< 1μm

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        6款材質(zhì)可供選擇

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