
國(guó)儀量子技術(shù)(合肥)股份有限公司

已認(rèn)證
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在半導(dǎo)體制造的光刻工藝中,光掩模作為圖案轉(zhuǎn)移的模板,其質(zhì)量直接決定了芯片上電路圖案的精度和完整性。隨著芯片制造工藝向更小的特征尺寸不斷推進(jìn),對(duì)光掩模的精度要求愈發(fā)嚴(yán)苛。哪怕是極其微小的缺陷,如灰塵顆粒、劃痕、圖案變形等,都可能在光刻過(guò)程中被放大,導(dǎo)致芯片上出現(xiàn)短路、斷路等功能性缺陷,極大降低芯片的成品率和性能。
為了確保光掩模的高質(zhì)量,缺陷修復(fù)成為關(guān)鍵環(huán)節(jié)。修復(fù)后的光掩模需要進(jìn)行嚴(yán)格的質(zhì)量驗(yàn)證,以確認(rèn)缺陷已被有效去除,且修復(fù)過(guò)程未引入新的問(wèn)題。修復(fù)質(zhì)量不佳可能導(dǎo)致在后續(xù)光刻中,缺陷依然影響圖案轉(zhuǎn)移,或者因修復(fù)操作不當(dāng),如修復(fù)材料殘留、周邊區(qū)域損傷等,造成新的光刻誤差。光掩模缺陷修復(fù)質(zhì)量受修復(fù)工藝、修復(fù)材料以及操作人員技能等多種因素綜合影響。因此,精準(zhǔn)驗(yàn)證光掩模缺陷修復(fù)質(zhì)量,對(duì)保障芯片制造工藝的穩(wěn)定性、提高芯片制造質(zhì)量、降低生產(chǎn)成本至關(guān)重要。
國(guó)儀量子 SEM3200 電鏡具備高分辨率成像能力,能夠清晰呈現(xiàn)光掩模修復(fù)區(qū)域的微觀結(jié)構(gòu)??删_觀察到修復(fù)區(qū)域的表面形貌,判斷是否存在殘留的缺陷痕跡,如微小的顆粒、未修復(fù)的劃痕;呈現(xiàn)修復(fù)材料與光掩?;椎慕Y(jié)合情況,確定結(jié)合是否緊密,有無(wú)縫隙或分層現(xiàn)象。通過(guò)對(duì)微觀結(jié)構(gòu)的細(xì)致成像,為評(píng)估修復(fù)質(zhì)量提供直觀且準(zhǔn)確的圖像基礎(chǔ)。例如,清晰的修復(fù)區(qū)域與基底界面成像有助于識(shí)別潛在的結(jié)合缺陷。
借助 SEM3200 配套的圖像分析軟件,能夠?qū)庋谀P迯?fù)區(qū)域進(jìn)行全面的缺陷檢測(cè)。軟件通過(guò)設(shè)定合適的算法,對(duì)比修復(fù)區(qū)域與標(biāo)準(zhǔn)圖案,自動(dòng)識(shí)別可能存在的缺陷,如圖案偏差、多余的修復(fù)材料堆積等。對(duì)檢測(cè)到的缺陷進(jìn)行分析,測(cè)量其尺寸、形狀等參數(shù),評(píng)估缺陷對(duì)光刻圖案轉(zhuǎn)移的影響程度。精確的缺陷檢測(cè)與分析為判斷修復(fù)質(zhì)量是否達(dá)標(biāo)提供量化數(shù)據(jù)支持。
SEM3200 獲取的修復(fù)前后光掩模的微觀圖像和缺陷數(shù)據(jù),能夠輔助進(jìn)行修復(fù)前后的對(duì)比研究。通過(guò)對(duì)比分析,確定修復(fù)操作是否有效去除了原有缺陷,以及是否引入了新的缺陷。例如,對(duì)比修復(fù)前后缺陷的數(shù)量、尺寸變化,評(píng)估修復(fù)工藝的有效性。同時(shí),分析修復(fù)過(guò)程對(duì)周邊區(qū)域的影響,判斷修復(fù)操作的精度和穩(wěn)定性,為優(yōu)化修復(fù)工藝提供依據(jù)。
國(guó)儀量子 SEM3200 鎢燈絲掃描電鏡是光掩模缺陷修復(fù)質(zhì)量驗(yàn)證的理想設(shè)備。它具有良好的分辨率,能清晰捕捉到光掩模修復(fù)區(qū)域微觀結(jié)構(gòu)的細(xì)微特征和缺陷變化。操作界面人性化,配備自動(dòng)功能,大大降低了操作難度,即使經(jīng)驗(yàn)不足的研究人員也能快速上手,高效完成驗(yàn)證任務(wù)。設(shè)備性能穩(wěn)定可靠,長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)工作仍能確保檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性與重復(fù)性。憑借這些優(yōu)勢(shì),SEM3200 為光掩模制造企業(yè)、半導(dǎo)體芯片制造廠商以及科研機(jī)構(gòu)提供了有力的技術(shù)支撐,助力提高光掩模質(zhì)量、保障芯片制造工藝的穩(wěn)定性,推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進(jìn)步與發(fā)展。
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