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            國(guó)儀量子技術(shù)(合肥)股份有限公司

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            國(guó)儀量子電鏡在晶圓級(jí)封裝微凸點(diǎn)共晶融合觀測(cè)的應(yīng)用報(bào)告

            國(guó)儀量子電鏡在晶圓級(jí)封裝微凸點(diǎn)共晶融合觀測(cè)的應(yīng)用報(bào)告
            國(guó)儀精測(cè)  2025-03-24  |  閱讀:48

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            國(guó)儀量子電鏡在晶圓級(jí)封裝微凸點(diǎn)共晶融合觀測(cè)的應(yīng)用報(bào)告

            一、背景介紹

            在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)向小型化、高性能化邁進(jìn)的進(jìn)程中,晶圓級(jí)封裝(WLP)技術(shù)憑借其能有效縮小芯片尺寸、降低成本以及提升電氣性能等顯著優(yōu)勢(shì),成為先進(jìn)封裝領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)。WLP 直接在晶圓上進(jìn)行封裝操作,相較于傳統(tǒng)封裝方式,減少了封裝層級(jí),縮短了信號(hào)傳輸路徑,極大提升了芯片的電學(xué)性能。在智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備等對(duì)空間和性能要求極高的電子產(chǎn)品中,WLP 技術(shù)廣泛應(yīng)用,滿足了產(chǎn)品輕薄化、高性能的需求。

            微凸點(diǎn)作為 WLP 實(shí)現(xiàn)芯片與基板電氣連接和機(jī)械支撐的核心結(jié)構(gòu),其共晶融合質(zhì)量至關(guān)重要。共晶融合是指在特定溫度下,微凸點(diǎn)材料與對(duì)應(yīng)連接點(diǎn)材料發(fā)生原子擴(kuò)散,形成新的合金相,實(shí)現(xiàn)可靠連接。理想的共晶融合應(yīng)形成均勻、致密的合金層,確保低電阻、高機(jī)械強(qiáng)度的連接。若共晶融合不完全,會(huì)導(dǎo)致微凸點(diǎn)與連接點(diǎn)之間接觸不良,增加電阻,引發(fā)信號(hào)傳輸損耗,影響芯片的正常工作。融合不均勻還可能使焊點(diǎn)力學(xué)性能不一致,在熱循環(huán)、機(jī)械振動(dòng)等工作條件下,焊點(diǎn)易出現(xiàn)開(kāi)裂,降低封裝可靠性。微凸點(diǎn)共晶融合受焊接溫度、時(shí)間、壓力以及微凸點(diǎn)與連接點(diǎn)材料特性等多種因素綜合影響。因此,精準(zhǔn)觀測(cè)晶圓級(jí)封裝微凸點(diǎn)共晶融合情況,對(duì)優(yōu)化封裝工藝、提高芯片封裝質(zhì)量、推動(dòng)半導(dǎo)體封裝技術(shù)發(fā)展至關(guān)重要。

            二、電鏡應(yīng)用能力

            (一)微觀結(jié)構(gòu)成像

            國(guó)儀量子 SEM3200 電鏡具備高分辨率成像能力,能夠清晰呈現(xiàn)晶圓級(jí)封裝微凸點(diǎn)共晶融合區(qū)域的微觀結(jié)構(gòu)??删_觀察到微凸點(diǎn)與連接點(diǎn)之間的界面特征,判斷界面是否清晰、平整,有無(wú)間隙或孔洞;呈現(xiàn)共晶合金層的形態(tài),確定其是否均勻分布,有無(wú)偏析現(xiàn)象;觀察微凸點(diǎn)和連接點(diǎn)材料的微觀組織變化,判斷原子擴(kuò)散情況。通過(guò)對(duì)微觀結(jié)構(gòu)的細(xì)致成像,為觀測(cè)共晶融合提供直觀且準(zhǔn)確的圖像基礎(chǔ)。例如,清晰的界面成像有助于判斷共晶融合是否完全。

            (二)共晶融合狀態(tài)分析

            借助 SEM3200 配套的圖像分析軟件,能夠?qū)ξ⑼裹c(diǎn)共晶融合狀態(tài)進(jìn)行深入分析。軟件通過(guò)設(shè)定合適的算法,根據(jù)共晶合金層與周圍材料在圖像中的對(duì)比度差異,識(shí)別共晶合金層的范圍和厚度。對(duì)不同位置的微凸點(diǎn)共晶融合區(qū)域進(jìn)行測(cè)量統(tǒng)計(jì),分析共晶融合的均勻性。例如,計(jì)算共晶合金層厚度的標(biāo)準(zhǔn)差等統(tǒng)計(jì)量,評(píng)估融合的一致性。精確的共晶融合狀態(tài)分析為評(píng)估封裝質(zhì)量提供量化數(shù)據(jù)支持,有助于確定受融合質(zhì)量影響的區(qū)域。

            (三)融合與工藝參數(shù)關(guān)聯(lián)研究

            SEM3200 獲取的微凸點(diǎn)共晶融合數(shù)據(jù),結(jié)合實(shí)際晶圓級(jí)封裝工藝參數(shù),能夠輔助研究共晶融合與工藝參數(shù)之間的關(guān)聯(lián)。通過(guò)對(duì)不同工藝條件下微凸點(diǎn)共晶融合情況的對(duì)比分析,確定哪些工藝參數(shù)的變化對(duì)共晶融合質(zhì)量影響顯著。例如,發(fā)現(xiàn)焊接溫度的微小波動(dòng)會(huì)導(dǎo)致共晶合金層厚度和均勻性發(fā)生明顯變化,為優(yōu)化封裝工藝參數(shù)提供依據(jù),以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的共晶融合。

            三、產(chǎn)品推薦

            國(guó)儀量子 SEM3200 鎢燈絲掃描電鏡是晶圓級(jí)封裝微凸點(diǎn)共晶融合觀測(cè)的理想設(shè)備。它具有良好的分辨率,能清晰捕捉到微凸點(diǎn)共晶融合微觀結(jié)構(gòu)的細(xì)微特征和融合狀態(tài)變化。操作界面人性化,配備自動(dòng)功能,大大降低了操作難度,即使經(jīng)驗(yàn)不足的研究人員也能快速上手,高效完成觀測(cè)任務(wù)。設(shè)備性能穩(wěn)定可靠,長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)工作仍能確保檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性與重復(fù)性。憑借這些優(yōu)勢(shì),SEM3200 為半導(dǎo)體封裝企業(yè)、科研機(jī)構(gòu)提供了有力的技術(shù)支撐,助力優(yōu)化封裝工藝、提高芯片封裝質(zhì)量,推動(dòng)半導(dǎo)體封裝技術(shù)的進(jìn)步與發(fā)展。

             


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