中國粉體網(wǎng)訊 自從Iijima在1991年成功制備出碳納米管（CNTs）并發(fā)現(xiàn)其所具有的優(yōu)異的力學(xué)性能以來，一維材料（1D）開始吸引了各國科學(xué)家的注意，迅速成為了相關(guān)領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)。一維材料指那些只有一個(gè)方向上的尺寸非納米尺度的材料，按照形狀的不同還可分為納米棒、納米線、晶須和納米纖維。碳化硅納米線（SiCNWs）就是一種一維材料。
碳化硅納米線直徑一般小于500nm、長度可達(dá)上百μm，比碳化硅晶須有更高的長徑比。碳化硅納米線在繼承了碳化硅塊體材料所擁有的各種力學(xué)性能的基礎(chǔ)上，還擁有許多低維材料獨(dú)有的性質(zhì)。單根SiCNWs的楊氏模量約為610~660GPa；抗彎強(qiáng)度可達(dá)53.4GPa，約為碳化硅晶須的兩倍；拉伸強(qiáng)度超過14GPa。并且研究人員還在掃描電鏡下發(fā)現(xiàn)了碳化硅納米線的超塑性現(xiàn)象。
除此之外，由于SiC本身屬于間接帶隙半導(dǎo)體材料，電子遷移率高。而且碳化硅納米線由于納米級(jí)尺寸原因，具有小尺寸效應(yīng)，可以作為一種發(fā)光材料；同時(shí)SiCNWs也表現(xiàn)出了量子效應(yīng)，可以作為一種半導(dǎo)體催化材料使用。在場發(fā)射領(lǐng)域、補(bǔ)強(qiáng)增韌材料、超級(jí)電容器、電磁波吸收器件等領(lǐng)域，碳化硅納米線都有其應(yīng)用潛力。
碳化硅納米線的制備方法主要包括：化學(xué)氣相沉積法、電弧放電法、模板生長法、碳熱還原法、溶膠-凝膠法、前驅(qū)體熱解法、氣相滲硅法等。
實(shí)驗(yàn)上制備出來的SiC納米線廣泛存在大量的晶體缺陷，而材料微觀下原子的排列決定著實(shí)際的宏觀應(yīng)用，理解缺陷結(jié)構(gòu)亦或是不同微觀結(jié)構(gòu)對(duì)SiC納米線性能的影響是非常重要的，這有利于在生產(chǎn)中對(duì)SiC納米線的結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)，指導(dǎo)實(shí)踐的推進(jìn)。
參考資料：
劉洋濤：碳化硅納米線的制備及吸波性能研究
黃曉悅：碳包覆碳化硅納米線增強(qiáng)氧化鋁陶瓷復(fù)合材料的制備及力學(xué)性能研究
燕文強(qiáng)：碳涂層包覆碳化硅納米線增強(qiáng)碳化硅陶瓷復(fù)合材料的制備及力學(xué)性能研究
梁健�。禾蓟杓{米線的形成機(jī)制及其在Cf/SiC復(fù)合材料應(yīng)用的研究
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/平安）
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