中國(guó)粉體網(wǎng)訊  據(jù)浙大杭州科創(chuàng)中心官微消息，浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心（簡(jiǎn)稱科創(chuàng)中心）先進(jìn)半導(dǎo)體研究院-乾晶半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的研究人員們經(jīng)過(guò)近兩年的努力，首次生長(zhǎng)出厚度達(dá)100 mm的超厚碳化硅單晶！

若要將碳化硅單晶厚度顯著提升，必須解決晶體的溫度梯度和應(yīng)力控制等難題。為了解決難題，聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室開展了提拉式物理氣相傳輸（Pulling Physical Vapor Transport, PPVT）法生長(zhǎng)超厚碳化硅單晶的研究。

（a）提拉式物理氣相傳輸法生長(zhǎng)半導(dǎo)體碳化硅（SiC）單晶的示意圖；（b）100 mm厚半導(dǎo)體SiC單晶。

“我們通過(guò)提拉籽晶及已經(jīng)生長(zhǎng)的晶體，使晶體生長(zhǎng)面始終處于一個(gè)合適的徑向溫度梯度下，形成有利于降低晶體應(yīng)力的表面形態(tài)。同時(shí)維持晶體生長(zhǎng)面與粉料之間的合適軸向溫度梯度，防止隨著晶體厚度的增加，晶體生長(zhǎng)速率大幅下降�！毙鞄X茂研究員解釋道。

采用提拉式物理氣相傳輸法，聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室成功生長(zhǎng)出直徑為6英寸（即150 mm）的碳化硅單晶，其厚度突破了100 mm。測(cè)試加工而得的襯底片的結(jié)果顯示，該超厚碳化硅單晶具有單一的4H晶型（圖2a）、結(jié)晶質(zhì)量良好（圖2b），電阻率平均值不超過(guò)～ 30 mΩ·cm。目前研究團(tuán)隊(duì)已就相關(guān)工作申請(qǐng)了2項(xiàng)發(fā)明專利。

（a）拉曼散射光譜；（b）(0004)面的X射線搖擺曲線。

另外，也據(jù)浙大杭州科創(chuàng)中心官微消息，4月24日，杭州市創(chuàng)業(yè)投資協(xié)會(huì)聯(lián)合微鏈共同發(fā)布了《2024杭州獨(dú)角獸&準(zhǔn)獨(dú)角獸企業(yè)榜單》。浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心（簡(jiǎn)稱科創(chuàng)中心）首批自主孵育的科學(xué)公司杭州乾晶半導(dǎo)體有限公司被認(rèn)定為“杭州準(zhǔn)獨(dú)角獸企業(yè)”！

成立3年來(lái)，乾晶半導(dǎo)體圍繞半導(dǎo)體碳化硅材料的應(yīng)用研究和成果轉(zhuǎn)化，實(shí)現(xiàn)了關(guān)鍵核心技術(shù)的重大進(jìn)展并成功開啟產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，是集半導(dǎo)體碳化硅單晶生長(zhǎng)、晶片加工和設(shè)備開發(fā)為一體的高新技術(shù)企業(yè)。

公司的核心團(tuán)隊(duì)來(lái)自硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，并與科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院成立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，共同推動(dòng)碳化硅襯底材料的產(chǎn)業(yè)化任務(wù)，助力我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

去年10月，乾晶半導(dǎo)體中試線主廠房結(jié)頂。今年，6/8英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)和襯底加工的中試基地將正式運(yùn)行，為今后實(shí)現(xiàn)6-8寸碳化硅襯底批量供給能力奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

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