中國粉體網(wǎng)訊 4月26日，由中國粉體網(wǎng)主辦的“第三屆半導(dǎo)體行業(yè)用陶瓷材料技術(shù)研討會暨第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長技術(shù)交流會”在江蘇蘇州圓滿落幕。昨日13位專家大咖與大家分享了各自的研究成果和研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗，令人受益匪淺，今天的報告同樣精彩！
洪若瑜研究員首先介紹了碳化硅特性和應(yīng)用領(lǐng)域，分析了碳化硅粉體的市場情況，并對碳化硅粉體的制備方法進行了綜述。最后，洪若瑜研究員介紹了其所在團隊從九十年代至今三十年來的工作情況和取得的進展。
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福州大學(xué)洪若瑜研究員作《高純碳化硅的生產(chǎn)與應(yīng)用》報告
李輝副研究員詳細介紹了高溫溶液法生長SiC單晶的優(yōu)勢，并對中國科學(xué)院物理研究所最近在液相法生長SiC單晶的研究進展進行了介紹。她表示，高溫液相法有望成為繼PVT法之后制備尺寸更大、結(jié)晶質(zhì)量更高且成本更低的SiC單晶的方法。
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中國科學(xué)院物理研究所李輝副研究員線上作《液相生長碳化硅單晶研究進展》報告
傅仁利教授介紹了先進電子封裝中應(yīng)用的陶瓷材料及其封裝技術(shù)，重點介紹了陶瓷基板的流延成型工藝和金屬化技術(shù)，分析了基于陶瓷基板的微電子封裝技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀和技術(shù)特點。
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南京航空航天大學(xué)傅仁利教授作《基于陶瓷基板封裝的幾個關(guān)鍵技術(shù)》報告
近些年，SiC單晶整個產(chǎn)業(yè)鏈在不斷發(fā)展，“四高兩涂”也不斷為SiC單晶生產(chǎn)鏈提供高純原料和耗材的配備。戴煜董事長詳細介紹了第三代半導(dǎo)體生產(chǎn)用“四高兩涂”碳基材料及裝備的技術(shù)現(xiàn)狀，并分享了頂立科技研究團隊近年來在此領(lǐng)域的研究進展。
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湖南頂立科技股份有限公司戴煜董事長作《第三代半導(dǎo)體用“四高兩涂”材料及裝備的技術(shù)現(xiàn)狀與展望》報告
在碳化硅晶體切割過程中，晶體切割技術(shù)與過濾技術(shù)相結(jié)合，可有效地去除切割產(chǎn)生的微小顆粒，提高切割質(zhì)量和效率。孫作青總經(jīng)理就碳化硅晶體切割過濾設(shè)備及工業(yè)自動控制系統(tǒng)、技術(shù)服務(wù)領(lǐng)域進行了詳細介紹。
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江蘇宇佳智能裝備有限公司孫作青總經(jīng)理作《碳化硅晶體切割中的高效亞微米
在線過濾技術(shù)》報告
半導(dǎo)體器件碳化物涂層化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種重要的半導(dǎo)體器件制造設(shè)備。紀相權(quán)副總經(jīng)理介紹了企業(yè)主營產(chǎn)品及研發(fā)實力，針對半導(dǎo)體器件用設(shè)備進行了闡述。
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浙江晨華科技有限公司副總經(jīng)理紀相權(quán)作《半導(dǎo)體器件碳化物涂層化學(xué)氣相沉積設(shè)備》報告
徐永寬副院長分別就PVT法、TSSG法、HTCVD法等碳化硅單晶生長方法的原理、特點、發(fā)展現(xiàn)狀進行介紹，分析各種生長方法面臨的問題，并從單晶生長工藝角度提出了對碳化硅單晶生長設(shè)備和關(guān)鍵原輔材料的需求，最后簡單介紹了近期的研究工作進展。
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天津理工大學(xué)功能晶體研究院徐永寬副院長作《碳化硅單晶生長方法及面臨的挑戰(zhàn)》報告
晚宴盛況
4月25日，中國粉體網(wǎng)舉辦了答謝晚宴。晚宴現(xiàn)場高朋滿座，主辦方為各位與會專家、企業(yè)代表準備了精彩的文藝表演和游戲互動節(jié)目。
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中國粉體網(wǎng)會展事業(yè)部總經(jīng)理孔德宇先生晚宴致辭
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晚宴現(xiàn)場
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文藝表演
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互動節(jié)目獲獎嘉賓合影
第三屆半導(dǎo)體行業(yè)用陶瓷材料技術(shù)研討會暨第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長技術(shù)交流會已圓滿落幕。新國際形式下，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)要想加速國產(chǎn)化，就需要在多個環(huán)節(jié)、多方面協(xié)調(diào)發(fā)展。本次會議不僅為半導(dǎo)體和陶瓷行業(yè)搭建了一個有效的溝通平臺，也推動了SiC晶體生長技術(shù)的交流與合作，為行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。
（中國粉體網(wǎng)蘇州報道/空青）
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