中國粉體網(wǎng)訊 據(jù)日經(jīng)新聞消息,日本富士電機(jī)將在2024~2026年度的3年內(nèi)向半導(dǎo)體領(lǐng)域投資2000億日元(折合人民幣約100億元)規(guī)模,重點(diǎn)將放在用于純電動汽車(EV)電力控制等的功率半導(dǎo)體上,計劃在日本國內(nèi)工廠新建碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)線,提高產(chǎn)能。
碳化硅(SiC)是一種性能優(yōu)異的半導(dǎo)體材料,與傳統(tǒng)的硅材料相比,具有更高的硬度和耐久性,能夠承受更高的電壓和更大的電流。隨著電動汽車市場的迅猛增長,對功率半導(dǎo)體的需求也在不斷擴(kuò)大。因此,富士電機(jī)選擇投資這一領(lǐng)域,以抓住不斷擴(kuò)大的市場需求。在截至2023年度的為期5年的現(xiàn)有中期經(jīng)營計劃中,富士電機(jī)一直以每年400億日元的速度在半導(dǎo)體領(lǐng)域展開投資。從2024年度開始的3年新中期經(jīng)營計劃將改為每年700億日元,加速投資。
其中,富士電機(jī)將在松本工廠(長野縣松本市)建設(shè)“光刻前工程”生產(chǎn)線,將在2027年度以后開始生產(chǎn)使用8英寸大型晶圓的碳化硅功率半導(dǎo)體。富士電機(jī)計劃從2024年度開始在津輕工廠(青森縣五所川原市)量產(chǎn)6英寸碳化硅功率半導(dǎo)體。通過進(jìn)一步擴(kuò)大晶圓尺寸,可用一塊晶圓切割的芯片數(shù)量將隨之增加,有望提高生產(chǎn)效率。
(中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青)
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