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        國產(chǎn)8英寸碳化硅量產(chǎn)加速!


        來源:科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)

        [導(dǎo)讀]  國產(chǎn)8英寸碳化硅量產(chǎn)加速!

        中國粉體網(wǎng)訊  三安光電宣布,旗下子公司湖南三安8英寸碳化硅襯底已完成開發(fā),產(chǎn)品進(jìn)入小批量生產(chǎn)及送樣階段。


        據(jù)介紹,湖南三安依托精準(zhǔn)熱場(chǎng)控制的自主PVT工藝,8英寸碳化硅襯底實(shí)現(xiàn)更低成本及更低缺陷密度,后續(xù)將持續(xù)提升良率,加快設(shè)備調(diào)試與工藝優(yōu)化,并持續(xù)推進(jìn)湖南與重慶工廠量產(chǎn)進(jìn)程。


        據(jù)了解,2021年6月,總投資160億元的湖南三安半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目一期正式點(diǎn)亮投產(chǎn);2022年7月,項(xiàng)目二期開建,總投資為80億元,達(dá)產(chǎn)后配套年產(chǎn)能為36萬片。今年6月,三安光電宣布與意法半導(dǎo)體簽署協(xié)議,將在重慶建立8英寸碳化硅器件合資制造廠。按照計(jì)劃,該合資廠全部建設(shè)總額預(yù)計(jì)約達(dá)32億美元(約合227.8億人民幣),將于2025年第四季度投產(chǎn),預(yù)計(jì)在2028年全面建成。


        三安光電是中國第一家、全球第三家實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合的企業(yè),產(chǎn)業(yè)鏈布局包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝。“碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期實(shí)現(xiàn)垂直整合,能夠很好應(yīng)對(duì)不同場(chǎng)景的可靠性問題!币幻a(chǎn)業(yè)人士如是稱。


        三安光電碳化硅器件上車進(jìn)展加速。據(jù)了解,該公司推出了650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET,產(chǎn)品具備高性能、高一致性和高可靠性等特點(diǎn),并可根據(jù)客制化要求,提供多種靈活工藝方案。其中,1700V/1000mΩ MOSFET主要使用在光伏逆變器的輔助電源,1200V/75mΩ MOSFET則主要應(yīng)用于新能源汽車的OBC,兩款產(chǎn)品均處于客戶端導(dǎo)入階段,將逐步批量供貨;1200V /16mΩ車規(guī)級(jí)芯片已在戰(zhàn)略客戶處進(jìn)行模塊驗(yàn)證,預(yù)計(jì)于2024年正式上車量產(chǎn)。


        碳化硅行業(yè)三個(gè)重點(diǎn)環(huán)節(jié)(襯底、外延和器件)中,襯底在產(chǎn)業(yè)鏈中價(jià)值量占比最高,接近50%。碳化硅市場(chǎng)以6英寸為主流,而8英寸能夠生產(chǎn)的晶粒數(shù)約為6英寸SiC晶圓的1.8倍,晶圓利用率和產(chǎn)能將會(huì)顯著提高,可將單位綜合成本降低 50%。


        有產(chǎn)業(yè)人士稱,今年將會(huì)是8英寸碳化硅元年。今年以來,國際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeeed、意法半導(dǎo)體等加速發(fā)展8英寸碳化硅。而國內(nèi)市場(chǎng)來看,碳化硅設(shè)備、襯底及外延環(huán)節(jié)亦迎來突破性進(jìn)展,并且多家行業(yè)龍頭選擇與國際功率半導(dǎo)體巨頭聯(lián)手。


        除三安光電外,天科合達(dá)去年年底發(fā)布8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)品,并宣布將于今年內(nèi)實(shí)現(xiàn)8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底小規(guī)模量產(chǎn)。今年5月,天科合達(dá)與英飛凌簽署長期協(xié)議,天科合達(dá)將提供200毫米(8英寸)直徑碳化硅材料,幫助英飛凌向200毫米直徑晶圓的過渡。


        天岳先進(jìn)此前亦曾表示,公司已經(jīng)具備8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底的量產(chǎn)能力。在今年的Semicon China展會(huì)上,天岳先進(jìn)公布了業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的采用液相法制備出了低缺陷的8英寸晶體,通過熱場(chǎng)、溶液設(shè)計(jì)和工藝創(chuàng)新,突破了碳化硅單晶高質(zhì)量生長界面控制和缺陷控制難題。天岳先進(jìn)在今年5月與英飛凌簽訂了一項(xiàng)新的晶圓和晶錠供應(yīng)協(xié)議,供貨碳化硅6英寸襯底、合作制備8英寸襯底。


        晶盛機(jī)電此前宣布,公司已掌握行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅襯底工藝和技術(shù),成功生長出8英寸N型碳化硅晶體,解決了8英寸碳化硅晶體生長過程中溫場(chǎng)不均,晶體開裂、氣相原料分布等難點(diǎn)問題。晶盛機(jī)電此前亦宣布將會(huì)在今年內(nèi)實(shí)現(xiàn)8英寸產(chǎn)品小批量量產(chǎn)。


        科友半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)了6英寸SiC單晶襯底的規(guī)模生產(chǎn)和批量供貨,以及8英寸SiC單晶襯底的小批量生產(chǎn)及供貨。今年9月,科友首批自產(chǎn)8英寸SiC襯底,于科友產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)襯底加工車間成功下線。


        (中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青)

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