中國(guó)粉體網(wǎng)訊  科友半導(dǎo)體官微消息，科友半導(dǎo)體8英寸SiC中試線在2023年4月正式貫通后，同步推進(jìn)晶體生長(zhǎng)厚度、良率提升和襯底加工產(chǎn)線建設(shè)，加快襯底加工設(shè)備調(diào)試與工藝參數(shù)優(yōu)化。

2023年9月，科友首批自產(chǎn)8英寸SiC襯底于科友產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)襯底加工車(chē)間成功下線，這標(biāo)志著科友在8英寸SiC襯底加工，以及大尺寸襯底產(chǎn)業(yè)化方面邁出了堅(jiān)實(shí)一步。

批量生產(chǎn)的8英寸碳化硅晶體

科友首批8英寸碳化硅襯底

科友半導(dǎo)體突破了大尺寸、高厚度、低應(yīng)力碳化硅晶體制備關(guān)鍵技術(shù)，基于設(shè)備、原料、熱場(chǎng)、工藝方面的優(yōu)勢(shì)積累，通過(guò)提高原料及氣相組分比例穩(wěn)定性、維持長(zhǎng)期生長(zhǎng)的穩(wěn)定溫場(chǎng)和濃度場(chǎng)條件、調(diào)控晶體生長(zhǎng)速率和均勻性，實(shí)現(xiàn)了高厚度、低應(yīng)力6/8英寸碳化硅晶體穩(wěn)定制備，在6英寸晶體厚度超過(guò)40mm的基礎(chǔ)上，8英寸晶體直徑超過(guò)210mm，厚度目前穩(wěn)定在15mm以上。

此外，低缺陷、高質(zhì)量是襯底產(chǎn)品的核心競(jìng)爭(zhēng)力之一。科友半導(dǎo)體通過(guò)粉料純化預(yù)結(jié)晶處理、應(yīng)用蒸鍍碳化鉭（TaC）蒸鍍石墨結(jié)構(gòu)件、熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、籽晶鍍膜背保護(hù)等多項(xiàng)獨(dú)家技術(shù)，在實(shí)現(xiàn)零微管缺陷的基礎(chǔ)上進(jìn)一步降低了位錯(cuò)缺陷密度，6英寸晶體位錯(cuò)缺陷密度＜3000個(gè)cm^-2，8英寸晶體微管密度＜0.1個(gè)cm^-2，位錯(cuò)缺陷密度＜5000個(gè)cm^-2，晶體質(zhì)量處于行業(yè)領(lǐng)先水平。

科友半導(dǎo)體作為一家專(zhuān)注于第三代半導(dǎo)體裝備研發(fā)、襯底制作、器件設(shè)計(jì)、科研成果轉(zhuǎn)化的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，研發(fā)覆蓋半導(dǎo)體裝備研制、長(zhǎng)晶工藝、襯底加工等多個(gè)領(lǐng)域，已形成自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，實(shí)現(xiàn)先進(jìn)技術(shù)自主可控。同時(shí)，科友基于長(zhǎng)期自主研發(fā)，依次開(kāi)發(fā)了1-4代感應(yīng)長(zhǎng)晶爐和1-3代電阻長(zhǎng)晶爐，成為國(guó)內(nèi)第一家同時(shí)擁有8英寸感應(yīng)長(zhǎng)晶爐和電阻長(zhǎng)晶爐，并成功制備出8英寸碳化硅襯底的企業(yè)。

來(lái)源：科友半導(dǎo)體、CINNO

（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

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